[发明专利]存储单元测试方法、装置、存储介质及电子设备

说明书

本发明公开了一种存储单元测试方法、装置、存储介质及电子设备，该存储单元测试方法包括：获取测试数据；将测试数据按照预设间隔依次写入待测存储单元并对应读取，得到待测数据，对待测数据与测试数据进行一致性比较，得到比较结果；将测试数据按照预设间隔重复执行上述写入、读取和比较步骤，直至待测存储单元上的每一个地址至少被写入过一次；根据所有比较结果输出测试结果。本发明能检测出包括单cell的存储故障和多cell之间的存储故障，以保证存储单元的故障覆盖率；同时无需进行多次的先后升降测试，能有效的降低时间复杂度，有利于提高产能，降低成本，即本发明在保证存储单元的故障覆盖率的同时能减少测试时间。

技术领域

本发明涉及LPDDR芯片测试技术领域，特别涉及一种存储单元测试方法、装置、存储介质及电子设备。

背景技术

LPDDR(Low Power Double Data Rate SDRAM，低功耗内存)的基本存储单元为cell，计算机及嵌入式系统通过在cell中写入高电平或低电平的方式进行数据存储和读写。但是由于制程工艺的影响使得存储单元在读写时有可能造成数据存储故障。

除了单cell的存储故障外，多cell之间互相影响导致的故障占比也很高，检测难度也更大。多cell的典型故障有：桥连故障(Bridging Fault,BF)和耦合故障(CouplingFault，CF)。针对这两个故障，传统的检测方式是对地址空间里的存储单元进行升序的写读，再进行降序的写读，检测是否有数据错误。由于单纯的升序和降序读写过于简单，所以对于故障的覆盖率不高，所以通过增加读写的先后顺序以及次数来提高算法的覆盖率，但是也会大大提高算法的时间复杂度进而增加测试时间。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是：提供一种存储单元测试方法、装置、存储介质及电子设备，在保证存储单元的故障覆盖率的同时减少测试时间。

为了解决上述技术问题，本发明采用的技术方案为：

一种存储单元测试方法，包括步骤：

获取测试数据；

将所述测试数据按照预设间隔依次写入待测存储单元并对应读取，得到待测数据，对所述待测数据与所述测试数据进行一致性比较，得到比较结果；

将所述测试数据按照预设间隔重复执行上述写入、读取和比较步骤，直至所述待测存储单元上的每一个地址至少被写入过一次；

根据所有所述比较结果输出测试结果。

为了解决上述技术问题，本发明采用的另一种技术方案为：

一种存储单元测试装置，包括：

输入模块用于获取测试数据；

比较模块用于将所述测试数据按照预设间隔依次写入待测存储单元并对应读取，得到待测数据，对所述待测数据与所述测试数据进行一致性比较，得到比较结果；将所述测试数据按照预设间隔重复执行上述写入、读取和比较步骤，直至所述待测存储单元上的每一个地址至少被写入过一次；

输出模块用于根据所有所述比较结果输出测试结果。

为了解决上述技术问题，本发明采用的另一种技术方案为：

一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序存储有上述的存储单元测试方法。

为了解决上述技术问题，本发明采用的另一种技术方案为：

一种电子设备，包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现上述的存储单元测试方法。