[发明专利]一种OLED显示面板有效
申请号: | 202010349032.8 | 申请日: | 2020-04-28 |
公开(公告)号: | CN111415972B | 公开(公告)日: | 2022-10-04 |
发明(设计)人: | 陈俊;杨新帅;刘红梅 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 张晓薇 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 oled 显示 面板 | ||
本申请提供一种OLED显示面板,其包括:透明基底;第一显示基板,设置于透明基底的一侧表面,包括阵列分布的第一发光单元;第二显示基板,设置于透明基底的相对另一侧表面,包括阵列分布的第二发光单元。其中,第二发光单元对应位于相邻两个第一发光单元之间的间隙处,且第二发光单元与第一发光单元的出光方向一致。本申请通过采用单向出光的双面OLED显示面板的设置,从而解决传统OLED显示面板像素密度较低,不利于向高分辨率的方向发展的问题。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,尤其涉及一种OLED显示面板。
背景技术
近年来,有机发光二极管(OLED,Organic Light Emitting Diode)显示技术发展突飞猛进,OLED产品由于具有轻薄、响应快、高对比度、可弯折等优点,受到了越来越多的关注和应用,主要应用在手机、平板、电视等显示领域。
随着显示屏不断的朝着分辨率越来越高的方向发展,而OLED显示面板由于阵列驱动(Array)层非常复杂,薄膜晶体管以及电容等电路元器件的缩小尺寸有限,从而限制了像素密度,不利于OLED显示面板向高分辨率的方向发展。目前一些传统OLED显示面板为了追求高分辨率,不断的缩小像素尺寸,其中RGB蒸镀型OLED显示面板还需要用到精细掩模板,使得成本增加。
因此,现有技术存在缺陷,急需解决。
发明内容
本申请提供一种OLED显示面板,能够解决传统OLED显示面板像素密度较低,不利于向高分辨率的方向发展的技术问题。
为解决上述问题,本申请提供的技术方案如下:
本申请提供一种OLED显示面板,包括:
透明基底;
第一显示基板,设置于所述透明基底的一侧表面,包括阵列分布的第一发光单元;
第二显示基板,设置于所述透明基底的相对另一侧表面,包括阵列分布的第二发光单元;
其中,所述第二发光单元对应位于相邻两所述第一发光单元之间,且所述第二发光单元与所述第一发光单元的出光方向一致。
在本申请的OLED显示面板中,所述第一发光单元在所述透明基底上的正投影位于相邻两所述第二发光单元在所述透明基底上的正投影之间。
在本申请的OLED显示面板中,所述第一显示基板包括位于所述透明基底之上依次层叠的第一阵列驱动层、第一发光器件层以及第一封装层,所述第二显示基板包括位于所述透明基底之下依次层叠的第二阵列驱动层、第二发光器件层以及第二封装层。
在本申请的OLED显示面板中,所述OLED显示面板还包括一驱动芯片,所述驱动芯片分别与所述第一阵列驱动层上的第一驱动电路以及所述第二阵列驱动层上的第二驱动电路电连接。
在本申请的OLED显示面板中,所述第一发光器件层包括位于所述第一阵列驱动层之上依次层叠的第一阳极、第一发光层以及第一阴极,所述第二发光器件层包括位于所述第二阵列驱动层之下依次层叠的第二阳极、第二发光层以及第二阴极。
在本申请的OLED显示面板中,所述第一阳极为反射电极,所述第一阴极为半透明电极,所述第二阳极为透明电极,所述第二阴极为反射电极。
在本申请的OLED显示面板中,所述第一发光层在所述透明基底上的正投影位于相邻两所述第二发光层在所述透明基底上的正投影之间。
在本申请的OLED显示面板中,所述第一发光层在所述透明基底上的正投影与所述第二发光层在所述透明基底上的正投影之间存在间隙,所述第一阵列驱动层包括第一信号走线,所述第二阵列驱动层包括第二信号走线,所述第一信号走线与所述第二信号走线均对应位于所述间隙处。
在本申请的OLED显示面板中,所述第一信号走线与所述第二信号走线重叠设置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的