[发明专利]一种基于FDSOI工艺平台的保护二极管结构及其制作方法

权利要求书

1.一种基于FDSOI工艺平台的保护二极管结构，其特征在于，至少包括：

衬底、位于所述衬底上的MOS管；位于所述MOS管一侧并且由STI区与所述MOS管相互隔离的保护二极管；所述MOS管为常规MOS管或反沟道掺杂MOS管中的一种；

所述反沟道掺杂MOS管的阱注入类型与所述保护二极管的阱注入类型相反。

2.根据权利要求1所述的基于FDSOI工艺平台的保护二极管结构，其特征在于：所述MOS管是由P阱和N型源漏构成的NMOS管。

3.根据权利要求1所述的基于FDSOI工艺平台的保护二极管结构，其特征在于：所述MOS管是由N阱和P型源漏构成的PMOS管。

4.根据权利要求2所述的基于FDSOI工艺平台的保护二极管结构，其特征在于：位于所述NMOS管一侧的所述保护二极管的阱注入类型为P型。

5.根据权利要求3所述的基于FDSOI工艺平台的保护二极管结构，其特征在于：位于所述PMOS管一侧的所述保护二极管的阱注入类型为N型。

6.根据权利要求1所述的基于FDSOI工艺平台的保护二极管结构，其特征在于：所述反沟道掺杂MOS管为反沟道掺杂NMOS管。

7.根据权利要求1所述的基于FDSOI工艺平台的保护二极管结构，其特征在于：所述反沟道掺杂MOS管为反沟道掺杂PMOS管。

8.根据权利要求6所述的基于FDSOI工艺平台的保护二极管结构，其特征在于：所述反沟道NMOS管设有N型阱。

9.根据权利要求7所述的基于FDSOI工艺平台的保护二极管结构，其特征在于：所述反沟道PMOS管设有P型阱。

10.根据权利要求1、2、4任意一项所述的基于FDSOI工艺平台的保护二极管结构的制作方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：

步骤一、提供衬底，在所述衬底浅表区形成埋氧层；

步骤二、定义非SOI区域，并刻蚀去除所述非SOI区域的所述埋氧层

步骤三、在所述非SOI区域进行硅外延生长；

步骤四、在所述非SOI区域和所述有埋氧层之间形成用于隔离二者的STI区；

步骤五、在所述埋氧层下方的衬底以及所述非SOI区域的衬底中注入P型掺杂离子，形成P阱；

步骤六、在所述埋氧层上形成NMOS管的栅极；在所述栅极的两侧分别形成源漏，并且在所述非SOI区域的P阱上形成保护二极管的N端。

11.根据权利要求10所述的基于FDSOI工艺平台的保护二极管结构的制作方法，其特征在于，该方法还包括步骤七、将所述保护二极管的N端和所述NMOS管的栅极连接。

12.根据权利要求1、3、5任意一项所述的基于FDSOI工艺平台的保护二极管结构的制作方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：

步骤一、提供衬底，在所述衬底浅表区形成埋氧层；

步骤二、定义非SOI区域，并刻蚀去除所述非SOI区域的所述埋氧层；

步骤三、在所述非SOI区域进行硅外延生长；

步骤四、在所述非SOI区域和所述有埋氧层之间形成用于隔离二者的STI区；

步骤五、在所述埋氧层下方的衬底以及所述非SOI区域的衬底中注入N型掺杂离子，形成N阱；

步骤六、在所述埋氧层上形成PMOS管的栅极；在所述栅极的两侧分别形成源漏，并且在所述非SOI区域的N阱上形成保护二极管的P端。

13.根据权利要求12所述的基于FDSOI工艺平台的保护二极管结构的制作方法，其特征在于，该方法还包括步骤七、将所述保护二极管的P端和所述PMOS管的栅极连接。