[发明专利]缺陷图形特征参数的分析方法

说明书

本发明公开了一种缺陷图形特征参数的分析方法，包括步骤：步骤一、进行晶圆的缺陷测试并提取各缺陷的第一坐标；步骤二、将各第一坐标转换为对应的版图上的第二坐标；步骤三、在版图上添加缺陷标记层，缺陷标记层在各第二坐标处形成一个对应的缺陷标记图形；步骤四、标记出版图中被分析图层与缺陷标记图形所接触的版图图形并作为版图缺陷图形；步骤五、获取版图缺陷图形的特征参数。本发明能提高缺陷图形特征参数的提取效率，并能实现对缺陷图形特征参数进行全面和准确的分析。

技术领域

本发明涉及一种半导体集成电路制造方法，特别是涉及一种缺陷图形特征参数的分析方法。

背景技术

在半导体制造过程中，常会产生各种类型的缺陷(defect)，清除defect将会提高芯片的良率。在芯片研发及生产中，对于部分defect，可通过OPC对版图进行合理修改的方式，使版图对于后续工艺更为友好，从而消除或降低相关defect数量。

OPC对相关图形进行处理的前提，是准确获得相关defect图形的特征参数。然而，对于晶圆(wafer)的测试，仅能够得到defect的坐标信息。按照传统方式，OPC将按照坐标一一寻找到相关图形，进行人工量测，并根据量测结果获得相关defect图形的特征信息。然而，该种方式效率较低；当defect点数量较多，如达到上百个时，更无法对于每个defect均采取量测，从而限制了defect图形参数的全面性与准确性。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种缺陷图形特征参数的分析方法，能提高缺陷图形特征参数的提取效率，并能实现对缺陷图形特征参数进行全面和准确的分析。

为解决上述技术问题，本发明提供的缺陷图形特征参数的分析方法包括如下步骤：

步骤一、进行晶圆的缺陷测试，在测试得到缺陷时提取各所述缺陷的第一坐标，所述第一坐标为所述缺陷在所述晶圆上的坐标。

步骤二、将各所述第一坐标转换为对应的第二坐标，所述第二坐标为所述第一坐标在版图上对应的坐标。

步骤三、在所述版图上添加缺陷标记层，所述缺陷标记层在各所述第二坐标处形成一个对应的缺陷标记(error marker)图形。

步骤四、所述版图中包括多层图层，令需要进行缺陷分析的图层为被分析图层以及令所述被分析图层之外的其他图层为相关图层，标记出所述版图中所述被分析图层与所述缺陷标记图形所接触的版图图形并作为版图缺陷图形。

步骤五、获取所述版图缺陷图形的特征参数。

进一步的改进是，步骤一中进行所述缺陷测试的测试机台包括KLA测试机台，TEM机台，CDSEM机台。

进一步的改进是，步骤三中包括如下分步骤：

步骤31、以所述第二坐标为基础计算对应的所述缺陷标记图形的顶点坐标。

步骤32、根据所述缺陷标记图形的顶点坐标在所述版图形成所述缺陷标记层对应的所述缺陷标记图形。

进一步的改进是，步骤32中采用OPC软件形成所述缺陷标记图形。

进一步的改进是，步骤四中采用OPC软件进行标记形成所述版图缺陷图形。

进一步的改进是，步骤五中采用OPC软件获取所述版图缺陷图形的特征参数。

进一步的改进是，所述第二坐标为所述缺陷标记图形的中心；或者，所述第二坐标不为所述缺陷标记图形中心。

进一步的改进是，所述缺陷标记图形为以所述缺陷标记图形的顶点坐标为基础生成的规则图形或不规则图形。

进一步的改进是，所述规则图形包括多边形和曲线图形。