[发明专利]阵列基板及其制造方法、显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：

于基板的第一区域和第二区域均形成第一导电层和第二导电层，形成位于所述第一区域且用于与驱动芯片电连接的绑定引脚，所述第二导电层位于所述第一导电层远离所述基板的一侧，所述第一区域和所述第二区域之间间隔；

去除所述第二区域的所述第二导电层，形成位于所述第二区域且用于通过连接件与发光元件电连接的导电电极；

其中，所述第一导电层与所述连接件的附着力大于所述第二导电层与所述连接件的附着力，且所述第二导电层用于防止所述第一导电层氧化。

2.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，去除所述第二区域的所述第二导电层之前，所述方法还包括：

形成覆盖所述第一区域和所述第二区域的所述第二导电层的绝缘层；

去除所述第二区域的所述第二导电层之后，所述方法还包括：

利用第一蚀刻气体蚀刻所述第一区域的所述绝缘层，以使所述绑定引脚显露，所述第一蚀刻气体蚀刻所述绝缘层的速率大于所述第一蚀刻气体蚀刻所述第一导电层的速率。

3.根据权利要求2所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述第一蚀刻气体包括NF₃。

4.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述第一导电层的制备材料选自Cu或Cu合金，所述第二导电层的制备材料选自Mo或Mo合金，所述连接件的制备材料选自锡或锡合金。

5.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述第二导电层的制备材料为MoTiNi合金。

6.根据权利要求1、4或5所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述去除所述第二区域的所述第二导电层包括：

采用包括BCl₃的第二蚀刻气体蚀刻所述第二区域的所述第二导电层。

7.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：

基板，所述基板具有第一区域和第二区域，所述第一区域和所述第二区域之间间隔；

绑定引脚，用于与驱动芯片电性连接且位于所述基板的所述第一区域，所述绑定引脚包括第一导电层以及第二导电层，所述第二导电层位于所述第一导电层远离所述基板的一侧；以及

导电电极，用于通过连接件与发光元件连接且位于所述基板的所述第二区域，所述导电电极包括所述第一导电层；

其中，所述第一导电层与所述连接件的附着力大于所述第二导电层与所述连接件的附着力，且所述第二导电层用于防止所述第一导电层氧化。

8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述第一导电层的制备材料选自Cu或Cu合金，所述第二导电层的制备材料选自Mo或Mo合金，所述连接件的制备材料选自锡或锡合金。

9.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述第二导电层的制备材料选自MoTiNi合金或MoNbTa合金。

10.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求7-9任一项所述的阵列基板。