[发明专利]一种多晶硅片表面制绒的方法在审
| 申请号： | 202010350933.9 | 申请日： | 2020-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN111524985A | 公开（公告）日： | 2020-08-11 |
| 发明（设计）人： | 赵雷;姚真真;王文静 | 申请（专利权）人： | 中国科学院电工研究所 |
| 主分类号： | H01L31/0236 | 分类号： | H01L31/0236;H01L31/18;C30B33/10 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 刘潇 |
| 地址： | 100190 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 硅片 表面 方法 | ||
1.一种多晶硅片表面制绒的方法，其特征在于，包括以下步骤：
以多晶硅片为阳极，碱性溶液作为电解质溶液，对多晶硅片表面进行电化学腐蚀制绒。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述碱性溶液为NaOH和/或KOH的水溶液，所述碱性溶液中溶质的摩尔浓度为0.1～5.0mol/L。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述电化学腐蚀制绒的电流为10～50mA/cm2，时间为20～60min。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述电化学腐蚀制绒前，还包括对多晶硅片进行预腐蚀，所述预腐蚀用预腐蚀液为HNO3、HF和H2O的混合液，所述预腐蚀液中HNO3的摩尔浓度为7～10mol/L，HF的摩尔浓度为2～7mol/L。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述预腐蚀的时间为1～3min。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述电化学腐蚀制绒后还包括对电化学腐蚀后的多晶硅片进行后处理，所述后处理包括以下步骤：
对电化学腐蚀后的多晶硅片依次进行清洗和干燥。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述清洗为水洗、或为依次进行的酸洗和水洗、或为依次进行的水洗、酸洗和水洗；
所述酸洗用清洗剂为HF、HCl和H2O的混合液。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述酸洗用清洗剂中HCl的摩尔浓度为1.0～1.4mol/L，HF的摩尔浓度为1.2～1.6mol/L；所述酸洗的时间独立为2～5min。
9.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述干燥为热风吹干；所述热风吹干的温度为50～70℃。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院电工研究所，未经中国科学院电工研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010350933.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种大跨度钢桁梁斜拉桥的合龙施工方法
- 下一篇：固硫灰陶粒及其制备方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
