[发明专利]一种高频应用的低介电常数高导热氧化铝材料及制备方法

权利要求书

1.一种氧化铝颗粒用于制备高频应用的低介电常数高导热氧化铝材料的用途，其特征在于，

当频率在20-70GHz时，所述氧化铝颗粒的介电常数为9-10.5，Df为0.0003-0.0015；

所述氧化铝颗粒经干压成片烧结成瓷后的导热系数大于30W/m*K；

所述氧化铝颗粒的粒径为20-80nm；

所述氧化铝颗粒干压成坯体的生坯密度为2.2-2.4g/cm³，烧结温度为1350℃，烧结后的瓷片密度大于3.9 g/cm³；

所述氧化铝颗粒的制备方法包括如下步骤：

（1）取硫酸铝铵溶液作为铝盐，以碳酸氢铵溶液作为沉淀剂，于30-50℃进行反应，得到前驱体γ-AlOOH溶液；

控制所述硫酸铝铵与所述碳酸氢铵的摩尔比为1：3-8；

控制所述硫酸铝铵溶液的浓度为0.5-1mol/L，所述碳酸氢铵溶液的浓度为1-2mol/L；

（2）反应完成后，将反应溶液中加入α-Al₂O₃晶种和分散剂，于160-200℃进行水热反应；

所述α-Al₂O₃晶种的粒径为10-20nm；

所述α-Al₂O₃晶种的加入量占所述铝盐质量的10-20wt%；

所述分散剂的加入量占所述铝盐质量的1-3wt%；

（3）将水热反应后的溶液经-40～-60℃冷冻干燥处理得到分散均匀的粉体物料；

（4）将所得粉体物料于750-850℃进行煅烧处理，得到纯相α-Al₂O₃。

2.根据权利要求1所述的氧化铝颗粒用于制备高频应用的低介电常数高导热氧化铝材料的用途，其特征在于，所述氧化铝颗粒用于制备适用于5G通讯消费电子芯片封装陶瓷基板或玻璃陶瓷共烧基板。