[发明专利]栅极阵列基板驱动电路有效

专利信息
申请号: 202010352611.8 申请日: 2020-04-28
公开(公告)号: CN111508415B 公开(公告)日: 2021-09-03
发明(设计)人: 全海燕;吕晓文 申请(专利权)人: TCL华星光电技术有限公司
主分类号: G09G3/20 分类号: G09G3/20;G09G3/00
代理公司: 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 代理人: 张晓薇
地址: 518132 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 栅极 阵列 驱动 电路
【权利要求书】:

1.一种栅极阵列基板驱动电路,其特征在于,包括相互联级的多个栅极阵列基板驱动单元,并且第N级栅极阵列基板驱动单元对其所对应的第N级扫描线传送信号,每个栅极阵列基板驱动单元包括:第一栅极阵列基板驱动子单元,其包括:

第一信号源,用以对所对应的扫描线传送第一信号;

第一薄膜晶体管,其源极端以及栅极端与恒高电平电压连接,漏极端与第一信号节点;

第二薄膜晶体管,其源极端与恒低电平电压连接,栅极端与所述第一信号源连接,漏极端与所述第一信号节点连接;

第一桥接薄膜晶体管,其栅极端与所述第一信号节点连接;

第二桥接薄膜晶体管,其栅极端与所述第一信号源连接;以及

第三桥接薄膜晶体管,其源极端与所述第一信号源连接,栅极端与所述第二桥接薄膜晶体管的漏极端连接,漏极端与所对应的扫描线连接;以及

第二栅极阵列基板驱动子单元,其包括:

第二信号源,用以对所对应的扫描线传送第二信号;

第三薄膜晶体管,其源极端以及栅极端与第M级启动电压连接,漏极端与第二信号节点以及所述第二桥接薄膜晶体管的源极端连接;

第四薄膜晶体管,其源极端与所述第二信号源以及所述第一桥接薄膜晶体管的源极端连接,栅极端与所述第二信号节点连接,漏极端与第N级启动电压连接;

自举电容,其第一端与所述第二信号节点连接,第二端与所述第N级启动电压连接;

第五薄膜晶体管,其源极端与所述恒低电平电压连接,栅极端与第P级启动电压连接,漏极端与所述第二信号节点连接;

第六薄膜晶体管,其源极端与所述恒低电平电压连接,栅极端与所述第P级启动电压连接,漏极端与所述自举电容的第二端连接;

第七薄膜晶体管,其源极端与所述恒低电平电压连接,栅极端与所述第P级启动电压连接,漏极端与所对应的扫描线连接;以及

第八薄膜晶体管,其源极端与所述第一桥接薄膜晶体管的漏极端连接,栅极端与所述第二信号节点连接,漏极端与所对应的扫描线连接;其中,M与P分别为小于以及大于N的自然数;

其中,当所述第一信号源传送具有高电平电压的所述第一信号时,所述第一栅极阵列基板驱动子单元进行工作,而当所述第一信号源传送具有低电平电压的所述第一信号时,传送所述第二信号的所述第二栅极阵列基板驱动子单元进行工作。

2.根据权利要求1所述的栅极阵列基板驱动电路,其特征在于:当所述第一信号源传送具有高电平电压的所述第一信号时,所述第一桥接薄膜晶体管为断开状态,并且所述第二桥接薄膜晶体管为开启状态。

3.根据权利要求2所述的栅极阵列基板驱动电路,其特征在于:在所述第二信号源传送具有高电平电压的所述第二信号时,所对应的扫描线接收到的所述第一信号具有比所述第二信号源传送具有低电平电压的所述第二信号时更强的电平信号。

4.根据权利要求1所述的栅极阵列基板驱动电路,其特征在于:当所述第一信号源传送具有低电平电压的所述第一信号时,所述第一桥接薄膜晶体管为开启状态,并且所述第二桥接薄膜晶体管为断开状态。

5.根据权利要求4所述的栅极阵列基板驱动电路,其特征在于:在所述第二信号源传送具有低电平电压的所述第二信号时,所对应的扫描线与所述第二信号源为导通状态。

6.根据权利要求4所述的栅极阵列基板驱动电路,其特征在于:在所述第二信号源传送具有高电平电压的所述第二信号时,所对应的扫描线接收到具有高电平电压的所述第二信号。

7.根据权利要求1所述的栅极阵列基板驱动电路,其特征在于:当所述第二信号源传送具有低电平电压的所述第二信号时,所述第N级启动电压为低电平电压,并且所述第M级启动电压以及所述第P级启动电压为高电平电压。

8.根据权利要求1所述的栅极阵列基板驱动电路,其特征在于:当所述第二信号源传送具有高电平电压的所述第二信号时,所述第N级启动电压为高电平电压,并且所述第M级启动电压以及所述第P级启动电压为低电平电压。

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