[发明专利]一种适合与银内电极低温共烧的叠层氧化锌组合物及其制作方法

说明书

本发明涉及压敏电阻技术领域，旨在提供一种适合与银内电极低温共烧的叠层氧化锌组合物，其包括以下重量份组分：100‑105份ZnO、5‑19份Bi₂O₃、5.5‑12份Sb₂O₃、1.9‑2.8份Cr₂O₃、3.2‑5.4份Mn₂O₃、1.8‑3.4份Co₂O₃、1‑3份B₂O₃，还包括含量相对于ZnO的重量百分数为0.01%‑10%的铝锌硅玻璃，还包括纳米级Al(OH)₃和/或Al₂O₃，Al元素的摩尔百分数为0.01%‑1%；还公开了氧化锌组合物的制备方法，包括：S1、备料；S2、烧结料预制；S3、烧结料分散；S4、氧化锌组合物制备料混合；S5、初煅烧；S6、二次煅烧；S7、研磨。具有能够在较低烧结温度下制备氧化锌组合物材料，且制备的材料具有综合电性能优越、组合物性能一致性高的优点。

技术领域

本发明涉及压敏电阻技术领域，特别涉及一种适合与银内电极低温共烧的叠层氧化锌组合物及其制作方法。

背景技术

随着信息技术的发展，电子组合物向小型化、高集成化和数字化方向发展，促使电子组件向着轻薄短小，即小型化、集成化及多功能化方向改进。因此，适合表面贴装的多层片式ZnO压敏电阻器(MLVs)技术和应用受到各界的注目，市场占有率也稳步提升。

氧化锌变阻器是以氧化锌为主体，并加入铋(Bi)、锑(Sb)、硅(Si)、钴(Co)、锰(Mn)及铬(Cr)等氧化物，再经过980℃以上高温烧结而成。其中，在高温烧结的过程中，氧化锌晶粒会因为掺杂锑(Sb)、硅(Si)、钴(Co)、锰(Mn)及铬(Cr)等离子提高半导性，而且在氧化锌晶粒之间会形成具结晶相的高阻抗晶界层。

现有的铋系氧化锌压敏电阻制程中，ZnO压敏陶瓷片式氧化锌压敏组合物是在空气中以1000℃-1250℃左右较高的温度一次烧结制作，导致其内电极需采用抗高温氧化的贵金属银-钯(Ag/Pd)合金材料为主，由于钯元素比较昂贵，现有技术导致ZnO压敏电阻的制造成本偏高。同时，银钯内电极的钯元素容易与氧化铋产生反应而导致电阻元件的电性劣化。因此，开发一种适合与纯银低温共烧的氧化锌材料体系，对于降低制造成本、提升元件电性一致性具有重要意义。

公开号为CN1393426A的中国专利公开了一种氧化锌系压电陶瓷组合物及其制造方法，该组合物包括氧化锌100重量份，由氧化铋、氧化钛、氧化锑、氧化铬和硼的氧化物混合后经热处理粉碎的合成粉末0.1-5.0重量份。其制备方法包括：将氧化铋、氧化钛、氧化锑、氧化铬和硼的氧化物的组合物进行热处理、粉碎、调制成合成粉末；将合成粉末添加至含有氧化锌为第一成分以及氧化钴/或氧化锰为第二成分的原料粉末；煅烧。现有技术方案虽然通过添加硼的氧化物降低体系烧结温度，但是所制备的组合物电性特性参数优化不明显。

发明内容

本发明的第一个目的是提供一种适合与银内电极低温共烧的叠层氧化锌组合物，具有综合电性能优越、组合物性能一致性高的优点。

本发明的上述技术目的是通过以下技术方案得以实现的：

一种适合与银内电极低温共烧的叠层氧化锌组合物，包括以下重量份的组分：

所述组合物还包括含量相对于ZnO的重量百分数为0.01％-10％的铝锌硅玻璃。