[发明专利]彩色滤光结构、显示面板及其制备方法在审
申请号: | 202010354035.0 | 申请日: | 2020-04-29 |
公开(公告)号: | CN111524948A | 公开(公告)日: | 2020-08-11 |
发明(设计)人: | 王若男 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L29/786;H01L21/34;H01L21/77 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 张晓薇 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 彩色 滤光 结构 显示 面板 及其 制备 方法 | ||
本发明提供一种彩色滤光结构、显示面板及其制备方法,彩色滤光结构包括若干色阻区,以及色阻层,具有色阻单元,部分所述色阻区设有所述色阻单元;第一平坦层,填充于未设置所述色阻单元的色阻区内,且与所述色阻层同层设置;第二平坦层,设于所述第一平坦层和所述色阻层上。本发明提供一种彩色滤光结构、显示面板及其制备方法,在白色色阻区内填充平坦层,使白色色阻区的平坦层厚度与红绿蓝色阻区的色阻层的厚度相等,进而使白色色阻区的像素电极层与其他区的像素电极层处于相同水平,减少漏光。
技术领域
本发明涉及显示面板技术领域,特别涉及一种彩色滤光结构、显示面板及其制备方法。
背景技术
在现有技术中,RGBW液晶屏技术的原理是将一种白色(W)子像素填加到由红(R)、绿(G)、蓝(B)三色阻成的传统RGB像素中,然后再应用相应的子像素成像技术,以人类看见图像的方式对这些子像素进行更好的排列。这样便能够确保生成那些不能被人眼所看见的图像时,不会损耗显示屏功率及亮度源。RGBW子像素成像技术为每一个子像素单独编址,并且把一种白色子像素添加到排列模式中,形成一种RGBW像素设计,该设计比传统RGB像素设计的显示屏要更加明亮、且分辨率要更高一些。因为更多的背光能通过更大及半透的W子像素发光,而不是被RGB条纹采用的更小的红、绿、蓝子像素构成的紧密排列所遮挡,透射率及亮度均得到了增加。利用白色子象素,在功耗没有增加的情况下实现了白色亮度的增加。因而RGBW技术的优势是提升背光源亮度的利用率,节省功耗,降低成本,并且在不降低分辨率或增加功耗使用的情况下,获得更高亮度水平。因此,RGBW液晶屏会越来越广泛使用。
现有技术提供的彩膜基板中,由于R、G、B子像素会使用相同厚度的色阻,而W子像素没有色阻,开口区凹陷深度较大,像素电极较其他子像素位置低,所以在点亮时,会有其他相邻子像素的光线进入,造成W子像素边缘漏光。
因此,确有必要来开发一种新型的显示面板,以克服现有技术的缺陷。
发明内容
本发明的一个目的是提供一种显示面板,其能够解决现有技术中彩色滤光片的透过率降低的问题。
为实现上述目的,本发明还提供一种彩色滤光结构,包括若干色阻区,以及色阻层,具有色阻单元,部分所述色阻区设有所述色阻单元;第一平坦层,填充于未设置所述色阻单元的色阻区内,且与所述色阻层同层设置;第二平坦层,设于所述第一平坦层和所述色阻层上。
进一步的,在其他实施方式中,其中所述色阻区包括红色色阻区、绿色色阻区、蓝色色阻区和白色色阻区;所述色阻单元包括红色色阻单元、绿色色阻单元和蓝色色阻单元,所述红色色阻单元位于所述红色色阻区,所述绿色色阻单元位于所述绿色色阻区,所述蓝色色阻单元位于所述蓝色色阻区,所述第一平坦层位于所述白色色阻区。
进一步的,在其他实施方式中,其中所述第一平坦层与所述色阻层的厚度相同。
本发明的另一目的是提供一种显示面板,包括薄膜晶体管结构层;本发明涉及的所述彩色滤光结构,设于所述薄膜晶体管结构层上;像素电极层,设于所述薄膜晶体管结构层且延伸于所述第二平坦层上;像素定义层,设于所述像素电极层上,所述像素定义层中具有开口;发光层,设于所述开口中,所述发光层具有若干发光单元,每一发光单元对应一色阻区。
进一步的,在其他实施方式中,其中所述薄膜晶体管结构层包括:基板;遮光层,设于所述基板上;缓冲层,设于所述遮光层上;有源层,设于所述缓冲层上;栅极绝缘层,设于所述有源层上;栅极层;设于所述栅极绝缘层上;层间介质层,设于所述栅极层上;源漏极层,设于所述层间介质层上,所述源漏极层与所述有源层相接;钝化层,设于所述层间介质层上,所述彩色滤光结构设于所述钝化层上。
进一步的,在其他实施方式中,其中所述遮光层的材料采用钼、铝、铜或钛金属中的至少一种;所述遮光层的厚度为
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的