[发明专利]基板及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202010354200.2 申请日: 2020-04-29
公开(公告)号: CN111427189A 公开(公告)日: 2020-07-17
发明(设计)人: 陈俊;袁涛;巴静 申请(专利权)人: 武汉华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: G02F1/1335 分类号: G02F1/1335
代理公司: 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 代理人: 张晓薇
地址: 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** 国省代码: 湖北;42
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种基板,其特征在于,包括衬底基板,所述衬底基板上设置有至少一微盲孔。

2.根据权利要求1所述的基板,其特征在于,所述微盲孔形状为凹球形。

3.根据权利要求2所述的基板,其特征在于,所述微盲孔的直径范围为0.1um至10um。

4.根据权利要求1所述的基板,其特征在于,所述至少一微盲孔阵列设置于所述衬底基板上。

5.根据权利要求1所述的基板,其特征在于,所述衬底基板为玻璃衬底基板或有机衬底基板,所述有机衬底基板表面沉积有SiNx、SiOx和SiNxOy中的任一种。

6.一种基板的制备方法,其特征在于,所述方法包括:

准备衬底基板;

在所述衬底基板上制备至少一微盲孔,得到基板,其中,所述基板为如权利要求1至5任一项所述的基板。

7.根据权利要求6所述的制备方法,其特征在于,所述在所述衬底基板上制备至少一微盲孔,包括:

在所述衬底基板上制备第一光阻层,其中,所述第一光阻层上形成有多个阵列排布的通孔;

对所述衬底基板和所述第一光阻层进行刻蚀。

8.根据权利要求7所述的制备方法,其特征在于,所述在所述衬底基板上制备第一光阻层,包括:

在所述衬底基板上涂布第二光阻层;

对所述第二光阻层进行曝光显影,得到所述第一光阻层。

9.根据权利要求8所述的制备方法,其特征在于,所述对所述第二光阻层进行曝光显影,包括:

准备预设图案的光罩;

采用所述光罩,对所述第二光阻层进行曝光显影。

10.根据权利要求9所述的制备方法,其特征在于,所述准备预设图案的光罩,包括:

准备具有阵列排布通孔的光罩。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉华星光电半导体显示技术有限公司,未经武汉华星光电半导体显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010354200.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top