[发明专利]半导体构件、机动车和用于制造半导体构件的方法

权利要求书

1.一种半导体构件，包括支承框架(2)和安装在该支承框架(2)上的至少一个半导体模块(3)，其特征在于，该支承框架(2)具有相应的缺口(6)，半导体模块(3)的基板(4)支撑在所述缺口的边缘(7)上，其中，基板(4)与支承框架(2)钎焊连接。

2.根据权利要求1所述的半导体构件，其特征在于，所述基板(4)在该基板(4)与支承框架(2)焊接的区段完全围绕所述基板(4)具有凸起(16)的区域延伸和/或完全围绕支承框架(2)的相应的缺口(6)延伸，该凸起(16)延伸穿过支承框架(2)的相应的缺口(6)。

3.根据权利要求1或2所述的半导体构件，其特征在于，通过支承框架(2)、至少一个半导体模块(3)的相应的基板(4)和封闭元件(10)形成流体通道(20)，除了冷却流体入口(14)和冷却流体出口(15)外，该流体通道全面流体密封地封闭。

4.根据权利要求3所述的半导体构件，其特征在于，所述封闭元件(10)与支承框架(2)钎焊连接或熔接。

5.根据上述权利要求之一所述的半导体构件，其特征在于，利用熔点为至少450℃的钎料(8)将基板(4)与支承框架(2)钎焊在一起。

6.根据前述权利要求之一所述的半导体构件，其特征在于，相应的半导体模块(3)的半导体部件通过烧结与基板(4)或者与安装在基板(4)上的基底连接，和/或半导体模块(3)通过浇注材料(5)浇注。

7.根据前述权利要求之一所述的半导体构件，其特征在于，支承框架(2)由铝或铝合金制成和/或基板(4)由铜或铝或由在铝基质中接纳了碳化硅颗粒的复合材料制成。

8.根据上述权利要求之一所述的半导体构件，其特征在于，半导体模块(3)是半桥，和/或半导体构件(1)是尤其是三相的桥式逆变器或桥式整流器。

9.一种机动车，其特征在于，该机动车包括根据上述权利要求之一所述的半导体构件(1)。

10.一种用于制造半导体构件(1)、尤其是根据权利要求1至8之一所述的半导体构件(1)的方法，所述方法包括以下步骤：

-提供支承框架(2)和至少一个半导体模块(3)，该支承框架对于每个半导体模块(3)都具有相应的缺口(6)，

-将至少一个半导体模块(3)这样布置在支承框架(2)上，使得相应的半导体模块的基板(4)支撑在相应缺口(6)的边缘(7)上，

-将相应的基板(4)与支承框架(2)钎焊连接。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，通过激光钎焊、特别是通过激光硬焊，将相应的基板(4)与支承框架(2)钎焊连接。

12.根据权利要求10或11所述的方法，其特征在于，在将相应的基板(4)与支承框架(2)钎焊连接的过程中，基板(4)和/或支承框架(2)的材料被局部熔化。