[发明专利]一种过零检测电路

权利要求书

1.一种过零检测电路，包括强电侧部分、弱电侧部分以及设置在强电侧部分和弱电侧部分之间的光耦模块(1)；其特征在于：

所述强电侧部分包括设于交流回路中以降低电路功耗的限流模块(2)、与限流模块(2)和光耦模块(1)分别电连接以控制光耦模块(1)通断并能降低光耦模块(1)导通延时的光耦控制模块(3)；

所述弱电侧部分包括与光耦模块(1)相连的直流电源(4)、与直流电源(4)和光耦模块(1)分别相连的输出模块(5)，所述输出模块(5)可输出随光耦模块(1)的通断进行同步正负切换的输出信号以进行过零检测。

2.根据权利要求1所述过零检测电路，其特征在于：

所述输出模块(5)的输出信号为电压信号。

3.根据权利要求1所述过零检测电路，其特征在于：

所述过零检测电路还包括设置在限流模块(2)和光耦控制模块(3)之间并与限流模块(2)和光耦控制模块(3)分别相连的整流模块(6)。

4.根据权利要求1所述过零检测电路，其特征在于：

所述限流模块(2)包括串接在火线(UL)上的第二电阻(R2)以及串接在零线(UN)上的第五电阻(R5)。

5.根据权利要求4所述过零检测电路，其特征在于：

所述第二电阻(R2)和第五电阻(R5)阻值均为1MΩ。

6.根据权利要求3所述过零检测电路，其特征在于：

所述整流模块(6)包括设置在火线(UL)中并与光耦模块(1)的发光二极管相连的第一双向二极管(VD1)以及设置在零线(UN)中与第一双向二极管(VD1)和光耦模块(1)的发光二极管电连接的第二双向二极管(VD2)。

7.根据权利要求6所述过零检测电路，其特征在于：

所述光耦控制模块(3)包括第一电容(C1)、第一NPN型三极管(V1)、第三双向二极管(VD3)；

所述第一电容(C1)与第一双向二极管(VD1)、第二双向二极管(VD2)以及第三双向二极管(VD3)分别相连以当火线(UL)电压为正半周时充电而火线(UL)电压为负半周时向光耦模块(1)放电以使光耦模块(1)导通；

所述第一NPN型三极管(V1)的基极与第一双向二极管(VD1)和第二双向二极管(VD2)分别电连接而集电极与第一双向二极管(VD1)和光耦模块(1)的发光二极管分别相连且发射极与第三双向二极管(VD3)和第一电容(C1)分别连接以实现火线(UL)电压为正半周时截止使第一电容(C1)充电而火线(UL)电压为负半周时导通使第一电容(C1)向光耦模块(1)放电。

8.根据权利要求7所述过零检测电路，其特征在于：

所述光耦控制模块(3)还包括第四电阻(R4)、第六电阻(R6)以及第五电容(C5)，所述第六电阻(R6)一端与第一NPN型三极管(V1)基极相连而另一端与第四电阻(R4)的一端连接，第四电阻(R4)的另一端与第一双向二极管(VD1)相连，所述第五电容(C5)接在第一NPN型三极管(V1)的发射极和基极之间。

9.根据权利要求2所述过零检测电路，其特征在于：

所述输出模块(5)包括第二电容(C2)、第三电阻(R3)、第二NPN型三极管(V2)以及第七电阻(R7)；

所述第三电阻(R3)与直流电源(4)和第二电容(C2)分别相连；所述第二NPN型三极管(V2)基极连接光耦模块(1)的光敏三极管的发射极而集电极连接在第三电阻(R3)与第二电容(C2)之间且发射极接地；

所述第七电阻(R7)设置在第二NPN型三极管(V2)的基极与发射极之间；所述第二电容(C2)的另一端提供所述输出信号并通过第四双向二极管(VD4)接地。

10.根据权利要求1所述过零检测电路，其特征在于：

所述火线(UL)与零线(UN)之间还连接有压敏电阻(RV1)。