[发明专利]堆叠结构的平面电容及其制作方法在审
| 申请号： | 202010355691.2 | 申请日： | 2020-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN111524705A | 公开（公告）日： | 2020-08-11 |
| 发明（设计）人： | 李峰;卢星华;陶玉红;周智勇;杨柳 | 申请（专利权）人： | 深圳市峰泳科技有限公司 |
| 主分类号： | H01G4/38 | 分类号： | H01G4/38;H01G4/008;H01G4/005;H01G4/06;H01G4/18 |
| 代理公司： | 上海波拓知识产权代理有限公司 31264 | 代理人： | 周景 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙岗区南*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 堆叠 结构 平面 电容 及其 制作方法 | ||
1.一种堆叠结构的平面电容，其特征在于，包括多层平面电极和多层介质层，多层该平面电极相互间隔设置，且相邻两该平面电极之间连接该介质层形成子电容，多层该平面电极与多层该介质层相互堆叠形成多个并联的该子电容。
2.如权利要求1所述的堆叠结构的平面电容，其特征在于，定义该堆叠结构的平面电容最外侧的两平面电极分别为第一平面电极和第二平面电极，该第一平面电极和该第二平面电极由非透明金属材料制成，该第一平面电极与该第二平面电极之间的平面电极由导电材料制成。
3.如权利要求1所述的堆叠结构的平面电容，其特征在于，该介质层的介电常数为5～100。
4.如权利要求1所述的堆叠结构的平面电容，其特征在于，该堆叠结构的平面电容的电容密度为10nF/cm2～10uF/cm2。
5.如权利要求1所述的堆叠结构的平面电容，其特征在于，各该平面电极的厚度为8um、12um、18um、25um、35um。
6.如权利要求1所述的堆叠结构的平面电容，其特征在于，多层该介质层包括多层第一介质层和至少一层第二介质层，各该第一介质层与该第二介质层的介电常数不同。
7.如权利要求1所述的堆叠结构的平面电容，其特征在于，该堆叠结构的平面电容的面积大于或等于500mm×400mm。
8.一种平面电容的制作方法，其特征在于，该方法包括：
将多层平面电极与多层介质层相互堆叠设置；
其中，多层该平面电极相互间隔设置，且相邻两该平面电极之间连接该介质层形成子电容，多层该平面电极与多层该介质层相互堆叠形成多个并联的该子电容。
9.如权利要求8所述的平面电容的制作方法，其特征在于，将多层该平面电极与多层该介质层相互堆叠设置的步骤包括：
步骤一，该平面电极包括相对的第一表面和第二表面，在一该平面电极的第一表面上涂布该介质层；
步骤二，将另一该平面电极的第二表面与步骤一涂布的该介质层结合形成一该子电容；
步骤三，在该子电容的平面电极的第一表面上涂布该介质层；
步骤四，将另一该平面电极的第二表面与步骤三涂布的该介质层结合形成另一该子电容；
步骤五，重复步骤三和步骤四形成多个并联的该子电容。
10.如权利要求8所述的平面电容的制作方法，其特征在于，将多层该平面电极与多层该介质层相互堆叠设置的步骤包括：
该平面电极包括相对的第一表面和第二表面，在各该平面电极的第一表面上涂布该介质层；
依次将多个该平面电极的第二表面与另一该平面电极上的该介质层结合形成多个并联的该子电容。
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