[发明专利]一种四结砷化镓太阳电池的标准子电池制备方法

权利要求书

1.一种四结砷化镓太阳电池的标准子电池制备方法，其特征在于：包括如下步骤：

S1、采用金属有机化学气相沉积技术正向生长四结砷化镓太阳电池，在锗衬底上依次生长0.67eV的Ge电池、1.1eV的InGaAs电池、1.5eV的AlGaAs电池、1.95eV的AlGaInP电池；

S2、以四结砷化镓太阳电池整体为基础，制备0.67eV的Ge标准子电池，具体为：在四结电池外延片正面通过光刻技术制备出上电极栅线图形，通过化学腐蚀技术在栅线图形处腐蚀掉1.95eV的AlGaInP电池、1.5eV的AlGaAs电池、1.1eV的InGaAs电池；采用电子束蒸发技术在外延片正面蒸镀上电极，背面蒸镀下电极；

S3、以四结砷化镓太阳电池整体为基础，制备1.1eV的InGaAs标准子电池；具体为：在四结电池外延片正面通过光刻技术制备出上电极栅线图形，通过化学腐蚀技术在上电极栅线图形处腐蚀掉1.95eV的AlGaInP电池、1.5eV的AlGaAs电池；在四结电池外延片背面通过光刻技术制备出一个微孔图形，通过化学腐蚀技术在微孔区域腐蚀掉Ge衬底、0.67eV的Ge电池；采用电子束蒸发技术在外延片正面蒸镀上电极，背面蒸镀下电极；

S4、 以四结砷化镓太阳电池整体为基础，制备1.5eV的AlGaAs标准子电池；具体为：在四结电池外延片正面通过光刻技术制备出上电极栅线图形，通过化学腐蚀技术在上电极栅线图形处腐蚀掉1.95eV的AlGaInP电池；在四结电池外延片背面通过光刻技术制备出一个微孔图形，通过化学腐蚀技术在微孔区域腐蚀掉Ge衬底、0.67eV的Ge电池、1.1eV的InGaAs电池；采用电子束蒸发技术在外延片正面蒸镀上电极，背面蒸镀下电极；

S5、以四结砷化镓太阳电池整体为基础，制备1.95eV的AlGaInP标准子电池；具体为：在四结电池外延片正面通过光刻技术制备出上电极栅线图形；在四结电池外延片背面通过光刻技术制备出一个微孔图形，通过化学腐蚀技术在微孔区域腐蚀掉Ge衬底、0.67eV的Ge电池、1.1eV的InGaAs电池、1.5eV的AlGaAs电池；采用电子束蒸发技术在外延片正面蒸镀上电极，背面蒸镀下电极。

2.根据权利要求1所述的四结砷化镓太阳电池的标准子电池制备方法，其特征在于，所述光刻技术为光刻剥离技术。

3.根据权利要求1或2所述的四结砷化镓太阳电池的标准子电池制备方法，其特征在于，所述上电极栅线图形包括主栅和细栅。

4.根据权利要求3所述的四结砷化镓太阳电池的标准子电池制备方法，其特征在于，所述化学腐蚀技术，锗衬底与0.67eV的Ge电池采用HF:H₂O₂:H₂O=1:1:10腐蚀溶液腐蚀，1.1eV的InGaAs电池、1.5eV的AlGaAs电池采用H₂SO₄：H₂O₂:H₂O=5:1:10腐蚀溶液腐蚀，1.95eV的AlGaInP电池采用HCl: H₂O=1:1腐蚀溶液腐蚀，腐蚀温度为25℃～40℃，腐蚀时间为1min～60min。

5.根据权利要求3所述的四结砷化镓太阳电池的标准子电池制备方法，其特征在于，所述微孔图形为直接20μm～100μm的圆孔。

6.根据权利要求3所述的四结砷化镓太阳电池的标准子电池制备方法，其特征在于，所述上电极和下电极至少包括一层金属，所述金属为Ti、Pd、Pt、In、Au、Ag、Cu中的一种或多种。

7.根据权利要求3所述的四结砷化镓太阳电池的标准子电池制备方法，其特征在于，所述上电极栅线的总厚度为1μm～10μm；栅线的宽度为10μm～100μm；栅线间距为100μm～2000μm。

8.根据权利要求3所述的四结砷化镓太阳电池的标准子电池制备方法，其特征在于，所述蒸镀下电极为采用电子束蒸发技术整面蒸镀金属电极。