[发明专利]移位寄存器电路及其驱动方法、栅极驱动电路、显示装置有效
申请号: | 202010356184.0 | 申请日: | 2020-04-29 |
公开(公告)号: | CN111415624B | 公开(公告)日: | 2021-05-14 |
发明(设计)人: | 商广良;卢江楠;张洁;刘利宾;史世明;王大巍 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | G09G3/3266 | 分类号: | G09G3/3266 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 移位寄存器 电路 及其 驱动 方法 栅极 显示装置 | ||
1.一种移位寄存器电路,其特征在于,包括:去噪控制子电路和去噪子电路;其中,
所述去噪控制子电路与第一电压端、第一时钟信号端、第二时钟信号端和第一去噪控制节点耦接;
所述去噪控制子电路被配置为,在所述第一时钟信号端的信号的控制下,将所述第一电压端的电荷整流至所述第一去噪控制节点,使所述第一去噪控制节点的电压保持为令所述去噪子电路开启的电压;
所述去噪子电路与所述第一去噪控制节点、所述第一电压端和扫描信号输出端耦接;
所述去噪子电路被配置为,在所述第一去噪控制节点的电压的控制下持续开启,以对所述扫描信号输出端去噪。
2.根据权利要求1所述的移位寄存器电路,其特征在于,所述去噪控制子电路包括:开启控制单元和关闭控制单元;其中,
所述开启控制单元与所述第一电压端、所述第一时钟信号端、所述第二时钟信号端、稳压信号端、所述第一去噪控制节点和第二去噪控制节点耦接;
所述开启控制单元被配置为,在所述第一时钟信号端的信号的控制下,将所述第一电压端的电荷整流至所述第一去噪控制节点,使所述第一去噪控制节点的电压保持为令所述去噪子电路开启的电压;
所述关闭控制单元与级联信号输出端、控制信号端、所述第一去噪控制节点和所述第二去噪控制节点耦接;
所述关闭控制单元被配置为,在所述级联信号输出端的电压的控制下,将所述控制信号端的信号传输至所述第一去噪控制节点,以控制所述去噪子电路关闭。
3.根据权利要求2所述的移位寄存器电路,其特征在于,
所述开启控制单元包括:
第一晶体管,所述第一晶体管的控制极与所述第一时钟信号端耦接,所述第一晶体管的第一极与所述第一电压端耦接,所述第一晶体管的第二极与所述第二去噪控制节点耦接;
第一电容,所述第一电容的第一端与所述第二时钟信号端耦接,所述第一电容的第二端与所述第二去噪控制节点耦接;
第二晶体管,所述第二晶体管的控制极与所述第二去噪控制节点耦接,所述第二晶体管的第一极与所述第一去噪控制节点耦接,所述第二晶体管的第二极与所述第二去噪控制节点耦接;
第二电容,所述第二电容的第一端与所述稳压信号端耦接,所述第二电容的第二端与所述第一去噪控制节点耦接;
所述关闭控制单元包括:
第三晶体管,所述第三晶体管的控制极与所述级联信号输出端耦接,所述第三晶体管的第一极与所述控制信号端耦接,所述第三晶体管的第二极与所述第二去噪控制节点耦接;
第四晶体管,所述第四晶体管的控制极与所述级联信号输出端耦接,所述第四晶体管的第一极与所述控制信号端耦接,所述第四晶体管的第二极与所述第一去噪控制节点耦接。
4.根据权利要求3所述的移位寄存器电路,其特征在于,所述开启控制单元还包括:
第五晶体管,所述第一电容的第一端通过所述第五晶体管与所述第二时钟信号端耦接;
所述第五晶体管的控制极与所述扫描信号输出端耦接,所述第五晶体管的第一极与所述第二时钟信号端耦接,所述第五晶体管的第二极与所述第一电容的第一端耦接。
5.根据权利要求2所述的移位寄存器电路,其特征在于,所述稳压信号端为所述第一电压端或者所述第一时钟信号端。
6.根据权利要求1所述的移位寄存器电路,其特征在于,所述去噪子电路包括:
第六晶体管,所述第六晶体管的控制极与所述第一去噪控制节点耦接,所述第六晶体管的第一极与所述第一电压端耦接,所述第六晶体管的第二极与所述扫描信号输出端耦接。
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