[发明专利]一种晶片涂层金属氧化薄膜制备方法在审
| 申请号： | 202010356900.5 | 申请日： | 2020-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN111613520A | 公开（公告）日： | 2020-09-01 |
| 发明（设计）人： | 陈琳 | 申请（专利权）人： | 苏州美法光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/203;H01L21/3205;C23C14/02;C23C14/08;C23C14/24 |
| 代理公司： | 苏州翔远专利代理事务所(普通合伙) 32251 | 代理人： | 刘计成 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市吴*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 晶片 涂层 金属 氧化 薄膜 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种晶片涂层金属氧化薄膜制备方法，其特征在于：具体步骤如下：
步骤一：通过氧化的方式在硅衬底上形成一层致密的氧化层；
步骤二：对形成的氧化层表面进行清洁和处理，为金属镀层做准备；
步骤三：最后在致密的氧化层表面镀金属氧化薄膜。
2.根据权利要求1所述的一种晶片涂层金属氧化薄膜制备方法，其特征在于：步骤一中进行氧化时，在氧化气氛中加入氯气。
3.根据权利要求1所述的一种晶片涂层金属氧化薄膜制备方法，其特征在于：步骤一的氧化方式具体为干氧氧化。
4.根据权利要求1所述的一种晶片涂层金属氧化薄膜制备方法，其特征在于：步骤三在致密的氧化层表面镀金属氧化薄膜具体采用蒸镀的方法进行。
5.根据权利要求4所述的一种晶片涂层金属氧化薄膜制备方法，其特征在于：所述蒸镀在真空的环境下进行反应，在蒸镀过程中形成的氧等离子体束流的能量为0-300eV。
6.根据权利要求3所述的一种晶片涂层金属氧化薄膜制备方法，其特征在于：所述干氧氧化的温度为1100℃—1400℃，氧垫厚度为0µm—0.1µm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
