[发明专利]液晶聚合物薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种液晶聚合物薄膜的制备方法，其特征在于：按以下步骤进行，

(1)、按质量百分比，将5～25％的聚四氟乙烯粒料与75～95％的液晶高分子聚合物粒料共混、挤出机熔融造粒制得表层共混粒料，所述液晶高分子聚合物的熔点Tm≥300℃；

(2)、将表层共混粒料送入一台双螺杆挤出机内，将质量百分比为100％液晶高分子聚合物的芯层粒料送入另一台单螺杆挤出机内，表层共混粒料和芯层粒料经各自对应的螺杆挤出机熔融挤出，且挤出时挤出物熔点控制在Tm以下10℃至Tm以下30℃，挤出物经熔体管、三层适配器及三层模头后流出具有两表层及其芯层的熔体，在三层模头处施加垂直于熔体流动方向的超声波振动并作用在熔体，用以改善熔体沿流动方向的同向异性；

(3)、从模头流出的熔体先垂直通过第一组定型辊筒的中间缝隙进行一次定型，继而垂直进入第二组定型辊筒的中间缝隙并从水平方向流出进行二次定型，第一组定型辊筒的温度控制在Tm以下5℃至Tm以下50℃之间，第二组定型辊筒的温度低于第一组定型辊筒温度的10℃～20℃,定型后的软质片材温度≥Tm以下80℃；

(4)、软质片材在第二组定型辊筒的出口处开始进行横向拉伸，且横向拉伸倍数为3～15倍，软质片材拉伸时的温度控制≥Tm以下60℃；

(5)、将拉伸到位后的膜材经分切、牵引收卷后制得两表层及中部芯层结构的液晶聚合物薄膜。

2.根据权利要求1所述的液晶聚合物薄膜的制备方法，其特征在于：所述的熔体管的温度以及三层模头的温度控制在Tm以下5℃至Tm以下20℃范围内。

3.根据权利要求1所述的液晶聚合物薄膜的制备方法，其特征在于：所述的第一组定型辊筒和第二组定型辊筒为陶瓷辊筒或金属辊筒表面镀特氟龙层，用于在高温状态下不与表层发生粘连现象。

4.根据权利要求1或3所述的液晶聚合物薄膜的制备方法，其特征在于：所述的第一组定型辊筒组的中间缝隙以及第二组定型辊筒的中间缝隙能调节，且熔体流经第一组定型辊筒组的中间缝隙以及第二组定型辊筒的中间缝隙时呈现微挤状态。

5.根据权利要求1所述的液晶聚合物薄膜的制备方法，其特征在于：所述的第二组定型辊筒的长度小于定型后软质片材的宽度。

6.根据权利要求1所述的液晶聚合物薄膜的制备方法，其特征在于：所述液晶聚合物薄膜的单面表层厚度≥2μm。

7.根据权利要求1所述的液晶聚合物薄膜的制备方法，其特征在于：所述的液晶高分子聚合物包括热致性液晶聚合物或改性液晶聚合物或含有该热致性/改性液晶聚合物成分的聚合物。