[发明专利]一种多晶硅清洗装置及方法

说明书

本发明提供一种多晶硅清洗装置及方法，属于半导体技术领域，该多晶硅清洗装置包括：刻蚀容器，用于容纳多晶硅和酸液；酸液脉动单元，与所述刻蚀容器连通，用于驱动所述刻蚀容器内的酸液以指定规律波动，以带动所述多晶硅波动。从而可以在提高刻蚀清洗效率、缩短工艺时间、提高产能的同时，有效降低能耗、液耗。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种多晶硅清洗装置及方法。

背景技术

多晶硅作为半导体行业单晶硅的基础材料，具有极高的洁净度要求，一般情况下是从专业的多晶硅原料供应商处购得合格的产品，但在拉晶过程中会出现很多晶棒结构损失的情况，以及在后续辊磨和截断工段偶发性出现机器故障导致单晶硅发生晶裂，这时就需要对其多晶部分和晶裂的硅材料回收利用，降低原材料成本；但在晶棒运输和多次转运之后，会接触到很多污染物，其主要包括多晶硅原料表面的金属颗粒等其他有机或无机污染物，这就需要将其彻底清洗，以便再次重复利用。

目前，在对多晶硅进行刻蚀清洗时，由电机驱动刻蚀槽内装载多晶硅的多晶硅框进行上下运动，以带动多晶硅框内的多晶硅在酸液中上下运动，从而提高清洗效率。但是，这种清洗方式需要将装载有多晶硅的多晶硅框整体提起，耗能大。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种多晶硅清洗装置及方法，以解决目前多晶硅清洗方式需要将装载有多晶硅的多晶硅框整体提起导致的耗能大的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种多晶硅清洗装置，包括：

刻蚀容器，用于容纳多晶硅和酸液；

酸液脉动单元，与所述刻蚀容器连通，用于驱动所述刻蚀容器内的酸液以指定规律波动，以带动所述多晶硅波动。

可选的，所述酸液脉动单元包括：容纳腔、挡板和驱动机构；

所述容纳腔与所述刻蚀容器连通，所述挡板设置于所述容纳腔内；

所述驱动机构与所述挡板连接，用于驱动所述挡板在所述容纳腔内滑动，带动所述容纳腔内的酸液向所述刻蚀容器流动，以使得所述刻蚀容器内的酸液波动。

可选的，所述容纳腔包括：第一酸液腔；

所述第一酸液腔，所述第一酸液腔由所述容纳腔的至少部分腔壁和所述挡板组成，所述挡板与所述容纳腔的腔壁滑动连接且配合紧密，所述第一酸液腔用于容纳待向所述刻蚀容器流动的酸液。

可选的，所述驱动机构包括驱动电机和螺杆；

所述驱动电机，与所述螺杆连接，用于驱动所述螺杆转动；

所述螺杆，与所述挡板连接，用于带动所述挡板在所述容纳腔内滑动。

可选的，所述多晶硅清洗装置还包括：酸液回收单元；

所述酸液回收单元，与所述刻蚀容器连通，并通过第一阀门与所述酸液脉动单元连通，用于接收从所述刻蚀容器流出的酸液，并输送至所述酸液脉动单元。

可选的，所述多晶硅清洗装置还包括：酸液供应单元；

所述酸液供应单元，通过第二阀门与所述酸液回收单元连通。

可选的，所述多晶硅清洗装置还包括：第一酸液输送管；

所述第一酸液输送管包括第一酸液进口和第一酸液出口，所述第一酸液进口与所述酸液回收单元连通，所述第一酸液出口与所述酸液脉动单元连通，且所述第一酸液进口的最低位置与所述酸液回收单元底部之间的距离大于预设值；

所述第一阀门设于所述第一酸液输送管上。

可选的，所述酸液回收单元包括第二酸液容纳腔和过滤板，所述过滤板设置在所述第二酸液容纳腔的底部。