[发明专利]晶圆双面铅锡合金凸块形成工艺有效
申请号: | 202010357057.2 | 申请日: | 2020-04-29 |
公开(公告)号: | CN111524820B | 公开(公告)日: | 2021-08-31 |
发明(设计)人: | 严立巍;李景贤;陈政勋 | 申请(专利权)人: | 绍兴同芯成集成电路有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L21/683 |
代理公司: | 北京同辉知识产权代理事务所(普通合伙) 11357 | 代理人: | 王依 |
地址: | 312000 浙江省绍兴市越城区*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 双面 合金 形成 工艺 | ||
1.晶圆双面铅锡合金凸块形成工艺,其特征在于,铅锡合金凸块形成工艺包括以下步骤:
S1:硅通孔工序
在晶圆(1)的正面蚀刻形成沉孔(2);
S2:金属填充
在沉孔(2)内填充金属(3);
S3:正面黄光工艺
在晶圆(1)的正面进行黄光工艺,在晶圆(1)的正面形成正面重布线层(4);
S4:键合
通过粘合剂(5)将晶圆(1)的正面键合在玻璃载板(6)上;
S5:减薄
对晶圆(1)的背面进行减薄,使沉孔(2)露出形成通孔;
S6:背面黄光工艺
在晶圆(1)的减薄面上进行黄光工艺形成背面重布线层(7);
S7:玻璃载板开窗
在玻璃载板(6)上蚀刻开窗形成窗口(8);
S8:两面UBM
在晶圆(1)的两面进行UBM,在背面重布线层(7)上形成第一凸点金属化层(10),在窗口(8)内的正面重布线层(4)上形成第二凸点金属化层(9);
S9:双面黄光工艺
对晶圆(1)的正面和背面分别进行黄光工艺,在第一凸点金属化层(10)上形成第一光阻层(12),在第二凸点金属化层(9)上形成第二光阻层(11);
S10:双面电镀
在晶圆(1)的两面分布形成第一电镀层(13)和第二电镀层(14);
S11:去光阻
除去晶圆(1)两面的第一光阻层(12)和第二光阻层(11);
S12:去UBM
除去晶圆(1)两面未被电镀层遮蔽的第一凸点金属化层(10)和第二凸点金属化层(9);
S13:解键合
将晶圆(1)从玻璃载板(6)上解键合。
2.根据权利要求1所述的晶圆双面铅锡合金凸块形成工艺,其特征在于,所述金属(3)为铜/铜合金。
3.根据权利要求1所述的晶圆双面铅锡合金凸块形成工艺,其特征在于,所述粘合剂(5)通过UV键合将晶圆(1)和玻璃载板(6)粘合在一起,温度要求为50-200℃,使用的时间为30分钟以下。
4.根据权利要求1所述的晶圆双面铅锡合金凸块形成工艺,其特征在于,所述粘合剂(5)通过加热键合将晶圆(1)和玻璃载板(6)粘合在一起,温度要求为150-300℃,使用的时间为30分钟以下。
5.根据权利要求1所述的晶圆双面铅锡合金凸块形成工艺,其特征在于,所述S7玻璃载板开窗中开窗的位置正对晶粒的位置。
6.根据权利要求1所述的晶圆双面铅锡合金凸块形成工艺,其特征在于,所述S10双面电镀中采用铅锡合金对晶圆(1)的双面进行电镀。
7.根据权利要求1所述的晶圆双面铅锡合金凸块形成工艺,其特征在于,所述S13解键合中采用镭射的方式进行解键合。
8.根据权利要求1所述的晶圆双面铅锡合金凸块形成工艺,其特征在于,所述S13解键合中采用热分解的方式进行解键合。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于绍兴同芯成集成电路有限公司,未经绍兴同芯成集成电路有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010357057.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种含稀氮化合物的红外探测器外延片
- 下一篇:一种用于机械制造行业的机床设备
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造