[发明专利]晶圆双面铅锡合金凸块形成工艺有效

专利信息
申请号: 202010357057.2 申请日: 2020-04-29
公开(公告)号: CN111524820B 公开(公告)日: 2021-08-31
发明(设计)人: 严立巍;李景贤;陈政勋 申请(专利权)人: 绍兴同芯成集成电路有限公司
主分类号: H01L21/60 分类号: H01L21/60;H01L21/683
代理公司: 北京同辉知识产权代理事务所(普通合伙) 11357 代理人: 王依
地址: 312000 浙江省绍兴市越城区*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 双面 合金 形成 工艺
【权利要求书】:

1.晶圆双面铅锡合金凸块形成工艺,其特征在于,铅锡合金凸块形成工艺包括以下步骤:

S1:硅通孔工序

在晶圆(1)的正面蚀刻形成沉孔(2);

S2:金属填充

在沉孔(2)内填充金属(3);

S3:正面黄光工艺

在晶圆(1)的正面进行黄光工艺,在晶圆(1)的正面形成正面重布线层(4);

S4:键合

通过粘合剂(5)将晶圆(1)的正面键合在玻璃载板(6)上;

S5:减薄

对晶圆(1)的背面进行减薄,使沉孔(2)露出形成通孔;

S6:背面黄光工艺

在晶圆(1)的减薄面上进行黄光工艺形成背面重布线层(7);

S7:玻璃载板开窗

在玻璃载板(6)上蚀刻开窗形成窗口(8);

S8:两面UBM

在晶圆(1)的两面进行UBM,在背面重布线层(7)上形成第一凸点金属化层(10),在窗口(8)内的正面重布线层(4)上形成第二凸点金属化层(9);

S9:双面黄光工艺

对晶圆(1)的正面和背面分别进行黄光工艺,在第一凸点金属化层(10)上形成第一光阻层(12),在第二凸点金属化层(9)上形成第二光阻层(11);

S10:双面电镀

在晶圆(1)的两面分布形成第一电镀层(13)和第二电镀层(14);

S11:去光阻

除去晶圆(1)两面的第一光阻层(12)和第二光阻层(11);

S12:去UBM

除去晶圆(1)两面未被电镀层遮蔽的第一凸点金属化层(10)和第二凸点金属化层(9);

S13:解键合

将晶圆(1)从玻璃载板(6)上解键合。

2.根据权利要求1所述的晶圆双面铅锡合金凸块形成工艺,其特征在于,所述金属(3)为铜/铜合金。

3.根据权利要求1所述的晶圆双面铅锡合金凸块形成工艺,其特征在于,所述粘合剂(5)通过UV键合将晶圆(1)和玻璃载板(6)粘合在一起,温度要求为50-200℃,使用的时间为30分钟以下。

4.根据权利要求1所述的晶圆双面铅锡合金凸块形成工艺,其特征在于,所述粘合剂(5)通过加热键合将晶圆(1)和玻璃载板(6)粘合在一起,温度要求为150-300℃,使用的时间为30分钟以下。

5.根据权利要求1所述的晶圆双面铅锡合金凸块形成工艺,其特征在于,所述S7玻璃载板开窗中开窗的位置正对晶粒的位置。

6.根据权利要求1所述的晶圆双面铅锡合金凸块形成工艺,其特征在于,所述S10双面电镀中采用铅锡合金对晶圆(1)的双面进行电镀。

7.根据权利要求1所述的晶圆双面铅锡合金凸块形成工艺,其特征在于,所述S13解键合中采用镭射的方式进行解键合。

8.根据权利要求1所述的晶圆双面铅锡合金凸块形成工艺,其特征在于,所述S13解键合中采用热分解的方式进行解键合。

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