[发明专利]显示面板、显示面板的制备方法及显示装置有效
申请号: | 202010357410.7 | 申请日: | 2020-04-29 |
公开(公告)号: | CN111584549B | 公开(公告)日: | 2022-11-15 |
发明(设计)人: | 莫丹;赵欢;黄金雷 | 申请(专利权)人: | 合肥维信诺科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京华进京联知识产权代理有限公司 11606 | 代理人: | 张书涛 |
地址: | 230000 安徽省合*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 制备 方法 显示装置 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,包括:
阵列基板;
像素限定层,位于所述阵列基板一侧,所述像素限定层设有开口,每个所述开口内设置有一个子像素,所述子像素包括红光子像素、绿光子像素和蓝光子像素,所述开口的至少部分侧壁上设有金属层,所述金属层表面包括纳米晶颗粒,其中,所述红光子像素和所述绿光子像素所在的所述开口的侧壁上包括的纳米晶颗粒的尺寸小于所述蓝光子像素所在的所述开口的侧壁上包括的纳米晶颗粒的尺寸。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述纳米晶颗粒的颗粒尺寸由所述阵列基板指向所述像素限定层的方向上逐渐减小。
3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述纳米晶颗粒包括晶态金属合金的纳米晶颗粒、非晶态金属合金的纳米晶颗粒中的至少一种。
4.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述金属层表面上,由所述阵列基板指向所述像素限定层的方向上依次排布所述非晶态金属合金的纳米晶颗粒、所述晶态金属合金的纳米晶颗粒。
5.根据权利要求1-4任一项所述的显示面板,其特征在于,所述金属层覆盖全部所述侧壁。
6.一种显示面板的制备方法,其特征在于,包括:
提供一阵列基板;
在所述阵列基板的一侧形成像素限定层,所述像素限定层设有开口;
在每个所述开口内设置一个子像素,其中,所述子像素包括红光子像素、绿光子像素和蓝光子像素,所述像素限定层的所述开口的至少部分侧壁上沉积金属层;
利用电化学腐蚀使所述金属层表面形成纳米晶颗粒,其中,所述红光子像素和所述绿光子像素所在的所述开口的侧壁上包括的纳米晶颗粒的尺寸小于所述蓝光子像素所在的所述开口的侧壁上包括的纳米晶颗粒的尺寸。
7.根据权利要求6所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述利用电化学腐蚀使所述金属层表面形成纳米晶颗粒的步骤包括:利用超低浓度酸电化学腐蚀使所述金属层表面形成纳米晶颗粒。
8.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1-5任一项所述的显示面板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的