[发明专利]批次型衬底处理设备

说明书

本发明提供一种批次型衬底处理设备。所述批次型衬底处理设备包括：筒，被配置成提供处理空间；分隔壁，被配置成提供在其中产生等离子体的放电空间；气体供应管，被配置成向所述放电空间供应工艺气体；以及多个电极，设置在所述筒外，以在所述放电空间中产生所述等离子体。所述筒具有从所述筒的最外圆周表面向内凹陷的多个凹槽，且所述多个电极分别容置在所述多个凹槽中。

技术领域

本发明涉及一种批次型衬底处理设备，且更具体来说，涉及一种将在单独空间中分解的工艺气体提供到处理空间中的批次型衬底处理设备。

背景技术

一般来说，衬底处理设备将待处理衬底定位在处理空间内，以通过使用化学气相沉积或原子层沉积来沉积注入到处理空间中的工艺气体中所包含的反应粒子。衬底处理设备被分类为能够对一个衬底执行衬底处理工艺的单晶片型衬底处理设备及能够同时对多个衬底执行衬底处理工艺的批次型衬底处理设备。

通常，在批次型衬底处理设备中，处理空间的壁表面以及衬底通过环绕处理空间的热壁型加热单元而在温度上升高。因此，会通过工艺气体在处理空间的内壁表面上形成不期望的薄膜。此处，当在处理空间中产生例如等离子体等的工艺环境时，沉积在内壁上的薄膜被在等离子体产生空间中产生的磁场或电场分离成粒子而在衬底处理工艺期间成为污染物。因此，衬底上的薄膜的品质可能劣化，且此外，衬底处理工艺的效率可能劣化。

[现有技术文献]

[专利文献]

(专利文献0001)韩国专利第10-1396602号

发明内容

本发明提供一种将在单独空间中分解的工艺气体提供到处理空间中的批次型等离子体衬底处理设备。

根据示例性实施例，一种批次型衬底处理设备包括：筒，被配置成提供在其中容置多个衬底的处理空间；分隔壁，在所述筒的纵向方向上延伸并设置在所述筒内，以提供与所述处理空间分离且在其中产生等离子体的放电空间；气体供应管，被配置成向所述放电空间供应处理所述多个衬底所需的工艺气体；以及多个电极，在所述筒的所述纵向方向上延伸并设置在所述筒外，以在所述放电空间中产生所述等离子体。所述筒可具有在所述筒的所述纵向方向上延伸且从所述筒的最外圆周表面向内凹陷的多个凹槽，且所述多个电极可分别容置在所述多个凹槽中。

所述多个凹槽可被设置成在所述筒的圆周方向上彼此间隔开。

所述多个凹槽之间的距离可相同。

在所述筒的圆周方向上，所述多个凹槽中的每一者的敞开的入口的宽度可小于所述多个凹槽中的每一者的内空间的最大宽度。

当基于所述筒的所述最外圆周表面时，所述多个凹槽中的至少一者的深度可不同于其余凹槽中的每一者的深度。

所述多个电极可包括被施加射频(radio frequency，RF)电力的多个电源电极及被接地的接地电极，且在所述多个凹槽中，设置在中间部分处且在其中容置所述接地电极的凹槽的深度可大于其余凹槽中的每一者的深度。

所述多个电极可分别接触所述多个凹槽的内表面，且所述批次型衬底处理设备可进一步包括保护盖，所述保护盖被配置成覆盖所述多个电极并覆盖所述筒的外壁的一部分。

所述气体供应管可在所述筒的圆周方向上设置在所述分隔壁外。

所述分隔壁可从所述多个凹槽中设置在外侧处的凹槽中的每一者延伸出。

所述气体供应管可从所述筒的外部将所述工艺气体供应到所述多个电极之间的空间中。

所述批次型衬底处理设备可进一步包括RF电源，所述RF电源被配置成向所述多个电极的一部分供应具有大约1kHz至大约10kHz的脉冲频带的脉冲式RF电力，以便周期性地接通/关断所述等离子体。

附图说明