[发明专利]确定芯片电性特征的方法、设备和计算机可读存储介质有效
申请号: | 202010357587.7 | 申请日: | 2020-04-29 |
公开(公告)号: | CN111579961B | 公开(公告)日: | 2023-04-07 |
发明(设计)人: | 请求不公布姓名 | 申请(专利权)人: | 全芯智造技术有限公司 |
主分类号: | G01R31/28 | 分类号: | G01R31/28;G01R31/26;H01L21/66 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 李兴斌 |
地址: | 230088 安徽省合肥市高新区*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 确定 芯片 特征 方法 设备 计算机 可读 存储 介质 | ||
本公开的实施例涉及确定芯片的电性特征的方法、设备和计算机可读存储介质。该方法包括:确定所述芯片中的电路元件的规格;基于所述电路元件的规格确定第一关系,所述第一关系是所述电路元件的电性特征与用于制造所述芯片的工艺参数之间的关系;以及基于所述第一关系确定第二关系,所述第二关系是所述芯片的电性特征与所述工艺参数之间的关系。以这种方式,如果工艺参数发生改变,可以根据更新的工艺参数来预测芯片的电性特征。
技术领域
本公开的实施例一般地涉及芯片制造领域,并且更具体地涉及用于确定或预测芯片的电性特征的方法、设备和计算机可读存储介质。
背景技术
目前,电子设备通常使用各种各样的芯片来支持其功能。这些芯片的电性特征最终影响电子设备的性能。以手机芯片为例,芯片的一些关键的电性特征,例如功耗、处理速度等电性特征最终决定了手机的待机时间、流畅度等特征。因此,这些芯片电性特征在芯片的生产和研发过程中会受到特别的关注。
然而现有技术中,芯片的相关方,例如芯片的设计方、生产方和使用方人员只有在芯片的试验品出来以后才能对芯片进行电性特征的检验,若因为工艺或者设计等问题,使得芯片在电性特征上产生较大的偏差,就会直接影响芯片的质量。
发明内容
本公开的实施例提供了用于确定芯片的电性特征的方法、设备和计算机可读存储介质。
在第一方面,提供了一种用于确定芯片的电性特征的方法。该方法包括:确定所述芯片中的电路元件的规格;基于所述电路元件的规格确定第一关系,所述第一关系是所述电路元件的电性特征与用于制造所述芯片的工艺参数之间的关系;以及基于所述第一关系确定第二关系,所述第二关系是所述芯片的电性特征与所述工艺参数之间的关系。
在第二方面,提供了一种电子设备。该电子设备包括处理单元;存储器,耦合至所述处理单元并且包括存储于其上的程序,所述程序在由所述处理单元执行时使所述设备实现根据本公开的第一方面的方法。
在第三方面,提供了一种计算机可读存储介质,所述计算机可读存储介质上存储有机器可执行指令,当所述机器可执行指令在被至少一个处理器执行时,使得所述至少一个处理器实现根据第一方面所述的方法。
提供发明内容部分是为了以简化的形式来介绍对概念的选择,它们在下文的具体实施方式中将被进一步描述。发明内容部分无意标识本公开的关键特征或主要特征,也无意限制本公开的范围。
附图说明
通过结合附图对本公开示例性实施例进行更详细的描述,本公开的上述以及其他目的、特征和优势将变得更加明显,其中,在本公开示例性实施例中,相同的参考标号通常代表相同部件。
图1示出了根据传统方案的SPICE仿真可以覆盖的晶体管工艺窗口的示意图;
图2示出了根据本公开的一些实施例的芯片电性特征的预测系统的示意图;
图3示出了根据本公开的一些实施例的用于确定芯片的电性特征的方法的流程图;
图4示出了根据本公开的一些实施例的仿真数据的表格;
图5示出了根据本公开的一些实施例的漏电流与栅氧厚度之间的关系的示意图;
图6示出了根据本公开的一些实施例的芯片功耗与栅氧厚度之间的关系的示意图;
图7示出了根据本公开的一些实施例的时序延迟与栅氧厚度之间的关系的示意图;
图8示出了根据本公开的一些实施例的芯片计算速度与栅氧厚度之间的关系的示意图;以及
图9示出了可以实现本公开的实施例的设备的示意图。
具体实施方式
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