[发明专利]倒装发光二极管芯片及其制备方法

权利要求书

1.一种倒装发光二极管芯片，其中，包括：

衬底；

N型半导体层，位于所述衬底上；

有源层，位于所述N型半导体层上；

P型半导体层，位于所述有源层上；

电流扩展层，位于所述P型半导体层上；以及

第一绝缘层、P电极、N电极，

其中，一部分所述第一绝缘层位于所述电流扩展层上方，另一部分所述第一绝缘层穿过所述电流扩展层、所述P型半导体层以及所述有源层，与所述N型半导体层接触，

所述第一绝缘层具有第一通孔与第二通孔，所述第一通孔位于所述电流扩展层上，所述电流扩展层通过所述第一通孔与所述P电极连接，所述第二通孔位于与所述N型半导体层接触的所述第一绝缘层中，所述N型半导体层通过所述第二通孔与所述N电极连接。

2.根据权利要求1所述的倒装发光二极管芯片，其中，所述P电极包括第一层P电极与第二层P电极，所述第一层P电极位于所述第一绝缘层上，并通过所述第一通孔与所述电流扩展层接触，所述第二层P电极覆盖部分所述第一层P电极与部分所述第一层N电极，

所述N电极包括第一层N电极与第二层N电极，所述第一层N电极位于所述第一绝缘层上，并通过所述第二通孔与所述N型半导体层接触，所述第二层N电极覆盖部分所述第一层N电极与部分所述第一层P电极，

其中，所述第二层P电极与所述第二层N电极作为焊盘。

3.根据权利要求2所述的倒装发光二极管芯片，其中，还包括第二绝缘层，位于被所述第二层N电极覆盖的第一层P电极的部分与第二层N电极之间，并位于被所述第二层P电极覆盖的第一层N电极的部分与第二层P电极之间，还位于第二层P电极与第二层N电极之间，

其中，所述第二绝缘层将所述P电极与所述N电极电隔离。

4.根据权利要求2所述的倒装发光二极管芯片，其中，所述第一通孔的数量包括多个，所述第二通孔的数量包括多个，

其中，至少部分所述第一层P电极将所述多个第一通孔串联，至少部分所述第一层N电极将所述多个第二通孔串联。

5.根据权利要求2所述的倒装发光二极管芯片，其中，所述第一通孔的数量包括多个，所述第二通孔的数量包括多个，

其中，全部所述第一层P电极将所述多个第一通孔串联，全部所述第一层N电极将所述多个第二通孔串联。

6.根据权利要求1所述的倒装发光二极管芯片，其中，若干个所述第一通孔辐射包围一个所述第二通孔，构成预定图案，所述预定图案的个数不小于1个。

7.根据权利要求6所述的倒装发光二极管芯片，其中，所述预设图案包括多个所述第二通孔以对应的所述第一通孔为对称中心呈阵列排布在所述第一通孔周围构成的图案，所述阵列包括方阵、圆周阵、对角阵，十字阵以及X阵。

8.根据权利要求1所述的倒装发光二极管芯片，其中，所述第一通孔的数量与所述第二通孔的数量满足以下等式：

m＝(n^1/2+1)²

其中，m表示所述第一通孔的数量，n表示所述第二通孔的数量。

9.根据权利要求1所述的倒装发光二极管芯片，其中，还包括电流阻挡层，所述电流阻挡层形成多个阵列分布的绝缘孤岛，

其中，所述绝缘孤岛的数量与所述第二通孔的数量一致。

10.根据权利要求9所述的倒装发光二极管芯片，其中，所述第二通孔的直径比所述绝缘孤岛的直径小2至5微米。

11.根据权利要求9所述的倒装发光二极管芯片，其中，所述绝缘孤岛呈柱状，所述绝缘孤岛的横截面形状包括圆形，

其中，所述圆形的直径范围包括15至60微米。