[发明专利]桥式触控电极及其制作方法和触控屏在审
申请号: | 202010357671.9 | 申请日: | 2020-04-29 |
公开(公告)号: | CN111552408A | 公开(公告)日: | 2020-08-18 |
发明(设计)人: | 张礼冠;田舒韵 | 申请(专利权)人: | 南昌欧菲显示科技有限公司 |
主分类号: | G06F3/041 | 分类号: | G06F3/041 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 郭光美 |
地址: | 330100 江*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 桥式触控 电极 及其 制作方法 触控屏 | ||
1.一种桥式触控电极,其特征在于,包括:
第一导电层,所述第一导电层上形成有至少一组第一电极图案和至少一组第二电极图案,每组所述第一电极图案包括两个以上彼此电连接的第一图案单元,每组所述第二电极图案包括两个以上彼此间隔开的第二图案单元;
第二导电层,包括连接部和本体部;及
消影膜层,夹设于第一导电层与第二导电层的本体部之间,所述消影膜层上开设有过孔,所述连接部位于所述过孔内,每组所述第二电极图案中的所述第二图案单元通过所述连接部实现彼此电连接。
2.根据权利要求1所述的桥式触控电极,其特征在于,所述消影膜层包括五氧化二铌膜层和二氧化硅膜层;所述消影膜层的厚度范围为10nm-100nm。
3.根据权利要求1所述的桥式触控电极,其特征在于,所述第一导电层和/或第二导电层的厚度范围为10nm-100nm。
4.根据权利要求1所述的桥式触控电极,其特征在于,所述第一导电层为第一ITO层,所述第二导电层为第二ITO层;或者,所述第一导电层为第一纳米银线层,所述第二导电层为第二纳米银线层;或者,所述第一导电层为第一ITO层,所述第二导电层为第二纳米银线层;或者,所述第一导电层为第一纳米银线层,所述第二导电层为第二ITO层。
5.一种桥式触控电极的制作方法,其特征在于,用于制造如权利要求1-4所述的桥式触控电极,包括以下步骤:
S1:在第一导电层上设置保护膜,所述第一导电层上形成有至少一组第一电极图案和至少一组第二电极图案,每组所述第一电极图案包括两个以上彼此电连接的第一图案单元,每组所述第二电极图案包括两个以上彼此间隔开的第二图案单元;
S2:对所述保护膜进行曝光、显影,在预设位置保留预设面积的保护膜不被显影;
S3:在所述第一导电层和未被显影的保护膜上设置消影膜层;
S4:去除所述未被显影的保护膜及设置于保护膜上面的消影膜层,使得所述消影膜层中形成过孔;
S5:在所述消影膜层上设置第二导电层,所述第二导电层包括连接部和本体部,所述连接部填充在所述过孔内,所述本体部位于所述消影膜层的上方,所述第二图案单元通过所述连接部实现彼此电连接。
6.根据权利要求5所述的桥式触控电极的制作方法,其特征在于,还包括步骤S0:在基板上设置第一电极图案和第二电极图案,所述第一电极图案和第二电极图案共同构成所述第一导电层。
7.根据权利要求5所述的桥式触控电极的制作方法,其特征在于,在步骤S3中,所述未被显影的保护膜的厚度范围为3μm-5μm,所述消影膜层的厚度范围为10nm-100nm。
8.一种触控屏,其特征在于,包括基板和权利要求1-4任一所述的桥式触控电极,所述桥式触控电极层设置在基板上。
9.根据权利要求8所述的触控屏,其特征在于,所述基板的厚度范围为20nm-200nm。
10.根据权利要求8所述的触控屏,其特征在于,还包括保护层,设置于所述桥式触控电极远离基板的一面上;所述保护层的厚度范围为3μm-15μm。
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