[发明专利]一种基于桶式外延炉的硅衬底外延层生长方法

权利要求书

1.一种基于桶式外延炉的硅衬底外延层生长方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1)、将硅衬底放入桶式外延炉内进行初始定位，初始定位后在硅衬底表面进行外延生长形成第一层外延层，第一层外延层生长厚度为设定外延层总厚度的一半；

步骤2)、将形成第一层外延层的硅衬底相对初始位置转动，然后进行外延生长至设定外延层总厚度，完成硅衬底的外延层生长；所述硅衬底采用单晶硅衬底；进行外延生长前对硅衬底表面进行处理，去除硅衬底表面的氧化层。

2.根据权利要求1所述的一种基于桶式外延炉的硅衬底外延层生长方法，其特征在于，采用氢氟酸、SC2、SC1或SPM中的一种或多种对硅衬底进行表面处理。

3.根据权利要求1所述的一种基于桶式外延炉的硅衬底外延层生长方法，其特征在于，将硅衬底放入桶式外延炉内进行初始定位使硅衬底的定位面与水平面平行设置。

4.根据权利要求1所述的一种基于桶式外延炉的硅衬底外延层生长方法，其特征在于，将形成第一层外延层的硅衬底相对初始位置转动使硅衬底的定位面与水平面垂直，然后继续进行外延生长至设定外延层总厚度。

5.根据权利要求1所述的一种基于桶式外延炉的硅衬底外延层生长方法，其特征在于，外延层厚度及电阻率：

按单边突变结近似计算外延层浓度：

BV为产品击穿电压要求；N为外延层杂质浓度，根据N-ρ曲线能够得到外延层电阻率；

根据空间电荷区计算外延层厚度：

W＞Xm＝(2ε₀ε_sBV/qN)^1/2 (2)

W为外延层厚度；Xm为空间电荷区宽度；ε₀为真空介电常数；ε_s为材料的介电常数；q为电子电量。