[发明专利]半导体结构的形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底中形成有前层互连结构，且所述基底表面露出所述前层互连结构，所述前层互连结构包括待连接互连结构；

采用选择性沉积工艺，在所述前层互连结构的顶面形成牺牲层；

在所述牺牲层露出的所述基底上形成第一介电层，所述第一介电层覆盖所述牺牲层的侧壁；

去除所述牺牲层，在所述第一介电层中形成第一互连开口，所述第一互连开口露出所述待连接互连结构；

形成覆盖所述第一介电层的第二介电层，所述第二介电层还填充于所述第一互连开口中，所述第二介电层的被刻蚀速率大于所述第一介电层的被刻蚀速率；

刻蚀所述第二介电层，在所述第二介电层中形成第二互连开口，所述第二互连开口的底部和所述第一互连开口的顶部相连通，所述第二互连开口和第一互连开口构成互连开口，所述互连开口与所述待连接互连结构相对应；

在所述互连开口中形成互连结构。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述前层互连结构的顶面形成牺牲层的步骤中，所述牺牲层的侧壁垂直于所述基底表面；或者，所述牺牲层的形状为倒梯形。

3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述前层互连结构的顶面形成牺牲层后，在所述牺牲层露出的所述基底上形成第一介电层之前，所述形成方法还包括：形成保形覆盖所述基底和牺牲层的研磨停止层；

在所述牺牲层露出的所述基底上形成第一介电层的步骤中，所述第一介电层露出位于所述牺牲层顶部的所述研磨停止层的顶面；

在所述牺牲层露出的所述基底上形成第一介电层后，去除所述牺牲层之前，所述形成方法还包括：去除位于所述牺牲层顶部的所述研磨停止层。

4.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述牺牲层露出的所述基底上形成第一介电层的步骤包括：形成覆盖所述研磨停止层的介电材料层；

以位于所述牺牲层顶部的所述研磨停止层的顶面作为停止位置，对所述介电材料层进行平坦化处理，所述平坦化处理后的剩余的所述介电材料层作为第一介电层。

5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述第二介电层中形成第二互连开口的步骤中，所述第二互连开口的底部还露出所述待连接互连结构所对应的所述第一互连开口外周的所述第一介电层的部分顶面。

6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，刻蚀所述第二介电层的过程中，所述第二介电层和第一介电层的刻蚀选择比大于10:1。

7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述选择性沉积工艺为选择性化学气相沉积工艺、无电极电镀工艺或选择性无电金属沉积工艺。

8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述选择性沉积工艺为选择性化学气相沉积工艺，所述选择性化学气相沉积工艺的参数包括：工艺温度为100℃至400℃，工艺压强为1Torr至50Torr，载气为氢气、氦气和氩气中的一种或多种，所采用的前驱物为有机金属化合物。

9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述牺牲层的厚度为1纳米至10纳米。

10.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用湿法刻蚀工艺，去除所述牺牲层。

11.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用湿法刻蚀工艺，去除位于所述牺牲层顶部的所述研磨停止层。