[发明专利]红外探测器及其制备方法

权利要求书

1.一种红外探测器，其特征在于，包括：金属电极，以及自下而上依次设置的衬底、砷化镓基层和石墨烯层；所述衬底上设置有与所述砷化镓基层相平行的长条阵列式凹槽，所述砷化镓基层设置于所述长条阵列式凹槽上，所述砷化镓基层沿所述长条阵列式凹槽横向生长方式设置，所述砷化镓基层表面具有砷化铟量子点，所述金属电极设置在所述砷化镓基层两端。

2.根据权利要求1所述的红外探测器，其特征在于：所述砷化镓基层为砷镓铟阵列层。

3.根据权利要求1所述的红外探测器，其特征在于：所述长条阵列式凹槽为二氧化硅薄膜。

4.一种交流固态继电器，其特征在于：包括如权利要求1至3任意一项所述的红外探测器。

5.一种如权利要求1至3任意一项所述红外探测器的制备方法，其特征在于，包括：

于所述衬底上刻蚀所述长条阵列式凹槽；

沿所述长条阵列式凹槽的方向，于所述长条阵列式凹槽上生长表面具有所述砷化铟量子点的所述砷化镓基层；

于所述砷化镓基层上方沉积所述石墨烯层；

于所述砷化镓基层两端蒸镀所述金属电极。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，于所述衬底上刻蚀所述长条阵列式凹槽，包括以下步骤：

基于长条阵列式掩膜板和所述衬底溅射靶材，获得具有长条阵列式薄膜的样品衬底；

刻蚀所述样品衬底，获得具有所述长条阵列式凹槽的图形化衬底。

7.根据权利要求5或6所述的制备方法，其特征在于，所述沿所述长条阵列式凹槽的方向，于所述长条阵列式凹槽上生长表面具有所述砷化铟量子点的所述砷化镓基层，包括以下步骤：

沿所述长条阵列式凹槽的方向，于所述长条阵列式凹槽两侧生长所述砷化镓基层；

在所述砷化镓基层上生长所述砷化铟量子点。

8.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，于所述砷化镓基层上方沉积所述石墨烯层，包括以下步骤：

于电解液中沉积所述石墨烯；

将所述石墨烯吸附在所述砷化镓基层表面上；

烘干所述砷化镓基层表面；

对所述砷化镓基层表面进行第一次合金化处理，获得第一样品。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，于所述砷化镓基层两端蒸镀所述金属电极，包括以下步骤：

基于掩膜板在所述第一样品两端蒸镀所述金属电极；

对所述第一样品进行第二次合金化处理。

10.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于：所述靶材为二氧化硅。