[发明专利]电子设备的破坏性边界值的确定方法及其系统

说明书

本公开涉及一种电子设备的破坏性边界值的确定方法及其系统。所述方法包括：取每种电子器件的待测试参数的指导上限阈值和指导下限阈值；针对待测试参数，基于所获取的指导上限阈值和指导下限阈值，预设所述电子设备的预置上限阈值和预置下限阈值；选择所述预置上限阈值和预置下限阈值之间的起始参数值，在所述起始参数值的基础上按照预定步长逐步增加或减少测试参数，测试所述电子设备工作状态，最终获取所述电子设备的测试破坏性上边界值或测试破坏性下边界值；以及将测试破坏性上边界值和预置上限阈值的平均值确定为所述电子设备的破坏性边界值上限值以及将测试破坏性下边界值和预置下限阈值的平均值确定为所述电子设备的破坏性边界值下限值。

技术领域

本公开涉及一种确定设备的破坏性边界值领域，尤其涉及一种电子设备的破坏性边界值的确定方法及其系统。

背景技术

近年来，随着电子产品越来越复杂，集成元件种类越来越多、集成元件数量越来越密集，对电子设备的整体适用环境要求越来越高，对电子产品的可靠性也越来越严格，需要对电子产品的适用条件给出更明确的指导。如果基于保守考虑，可能产品的指导适用条件会变窄，将不利于客户选择该电子设备，如果基于电子设备中的电子器件的最大适用条件给出指导使用条件，会使得客户在使用电子设备时超出电子设备整体实际的破坏性边界值，可能会导致客户提出赔偿请求。因此，如何如实准确确定电子设备的整体指导适用条件，对电子设备厂家而言极为重要。

现有的确定电子设备的整体指导适用条件通常基于电子设备中的主电子器件，例如CPU，的适用条件来简单确定。例如如果CPU的最低使用温度为-10度，则将整个电子设备的最低使用温度确定为-10度。或者如果两个主电子器件的最低适用温度为-10度或-20度，则对其求平均值-15度作为电子设备整体指导适用条件。

很显然，现有的确定电子设备整体指导适用条件的技术方案存在诸多缺陷。首先具有局限性。现有的技术方案只考虑了被测设备上的主要芯片的温度或震动边界值，对于其他板上器件而言，例如辅助控制芯片(CPLD、FPGA等)、通用存储器(norFlash、nandFlash、EEPROM、DRAM等)、各种总线损耗程度是未知的，在测试失败的情况下若不是关键芯片损坏往往需要付出更多的精力测量周边器件的信号，不利于问题的定位。其次，结果不准确性。通常芯片手册给出的测试边界值，往往是芯片厂商在特定环境下，通过单独针对该芯片的试验给出的指导值。而对整体被测设备而言，考虑到组装后的器件位置、疏密程度和单板和外壳结构等外在原因都会对设备的测试边界值有一定的影响，所以这样制定的边界值具有极高的不准确性。最后，这种确定方式不具备模式参考价值。由于不同型号的设备可能采用不同的主要功能芯片(对于网络设备来说通常包括CPU、交换芯片、PHY芯片等主芯片)，所以各型芯片手册中的测试边界值由于制程工艺不同往往存在较大的差异。所以每测试一款设备都要重新设计温度、振幅等阈值。

因此，要获得电子设备的准确的指导适用条件，只靠传统的测试工序把关已经不能满足在条件较差工况下产品可靠性的工作状态要求。于是，优化测试工序、引入更高要求的测试环节成了验证和提高产品可靠性的明确需求。

发明内容

为了解决上述现有技术中的如上问题之一，根据本公开的一个方面，提供了一种电子设备的破坏性边界值的确定方法，所述电子设备包括主电子器件和外围电子器件，所述方法包括：查询电子设备上所使用的每种电子器件的使用手册，获取每种电子器件的待测试参数的指导上限阈值和指导下限阈值；针对待测试参数，基于所获取的指导上限阈值和指导下限阈值，预设所述待测试参数的用于所述电子设备的预置上限阈值和预置下限阈值；选择所述预置上限阈值和预置下限阈值之间的起始参数值，按照预定步长在所述起始参数值的基础上逐步增加或减少测试参数，测试所述电子设备工作状态，最终获取所述电子设备的测试破坏性上边界值或测试破坏性下边界值，所述电子设备在测试破坏性上边界值或测试破坏性下边界值时处于破坏性失效工作状态并且在回复到其起始参数值下依然处于失效工作状态；以及将测试破坏性上边界值和预置上限阈值的平均值确定为所述电子设备的破坏性边界值上限值以及将测试破坏性下边界值和预置下限阈值的平均值确定为所述电子设备的破坏性边界值下限值。