[发明专利]带静电自保护的MOS管结构

权利要求书

1.一种带静电自保护的MOS管结构，其特征在于：所述MOS管整体置于半导体衬底上方，是由多个尺寸较小的子MOS管形成的总体尺寸较大的MOS管，所述子MOS管排列成多指状结构；

在俯视平面上，所述MOS器件的源区和漏区分别位于多晶硅栅极的两侧，所述的多晶硅栅极在形态上呈一条具有特征尺寸宽度的多晶硅线，所述多晶硅线既作为多个子MOS管的栅极，同时也作为连接引出多个子MOS管的栅极的导线；

在整个MOS管结构有源区中，具有多条平行排布的多晶硅线，除两个最外侧的源区有源区外，中间区域的源区有源区以及漏区有源区均是被相邻的MOS管共用，即每相邻的两条多晶硅线之间的源区有源区或者是漏区有源区，均是被这相邻的两条多晶硅线利用各自形成MOS管；在源区有源区以及漏区有源区中均具有多个接触孔将源区有源区及漏区有源区各自引出；

定义与多晶硅线垂直的方向即沟道方向为X方向，定义多晶硅线的走向方向即沟道的垂直方向为Y方向；

在所述的MOS管的源区有源区以及漏区有源区中均具有多个接触孔；

在所述的MOS管的漏区有源区和/或漏区有源区中，除位于最外侧的两个源区有源区外，还具有场氧隔离沟槽，所述的场氧隔离沟槽通过环绕源区有源区和/或漏区有源区中的多个接触孔，将源区有源区和/或漏区有源区进行分割，使从栅极到源区有源区接触孔和/或从栅极到漏区有源区接触孔的路径由直线路径变更为曲线路径或者是蛇形路径，在保证同等路径距离的前提下缩小源区有源区和/或漏区有源区的面积；或者是在同等的源区有源区和/或漏区有源区的面积下，从栅极到源区有源区接触孔和/或从栅极到漏区有源区接触孔的路径具有更长的距离。

2.如权利要求1所述的带静电自保护的MOS管结构，其特征是：缩小源区有源区和/或漏区有源区的面积能降低器件整体尺寸，降低器件工艺成本；延长从栅极到源区有源区接触孔和/或从栅极到漏区有源区接触孔的路径能提高器件的静电自保护能力。

3.一种带静电自保护的MOS管结构，其特征在于：所述MOS管整体置于半导体衬底上方，是由多个尺寸较小的子MOS管形成的总体尺寸较大的MOS管，所述子MOS管排列成多指状结构；

在俯视平面上，所述MOS器件的源区和漏区分别位于多晶硅栅极的两侧，所述的多晶硅栅极在形态上呈一条具有特征尺寸宽度的多晶硅线，所述多晶硅线既作为多个子MOS管的栅极，同时也作为连接引出多个子MOS管的栅极的导线；

在整个MOS管结构有源区中，具有多条平行排布的多晶硅线，除两个最外侧的源区有源区外，中间区域的源区有源区以及漏区有源区均是被相邻的MOS管共用，即每相邻的两条多晶硅线之间的源区有源区或者是漏区有源区，均是被这相邻的两条多晶硅线利用各自形成MOS管；在源区有源区以及漏区有源区中均具有多个接触孔将源区有源区及漏区有源区各自引出；

定义与多晶硅线垂直的方向即沟道方向为X方向，定义多晶硅线的走向方向即沟道的垂直方向为Y方向；

在所述的MOS管的源区有源区，具有单列多行的源区有源区接触孔；

在所述的MOS管的漏区有源区，还具有场氧隔离沟槽，所述的漏区有源区中的接触孔，在Y方向上排为两列，而在X方向上为错开排列的多行，每一行只有一个接触孔，且每两行之间在Y方向上间隔一个更大的间距；所述的场氧隔离沟槽呈C字形环绕半包围第二行的接触孔再呈C字形环绕第一行的接触孔后沿Y向向下延伸至第四行的接触孔，同样呈C字形环绕半包围第四行的接触孔再呈C字形环绕第三行的接触孔，再Y向向下延伸重复……，以此类推，最终将相邻两MOS管的漏区有源区分割为“凹”、“凸”互相咬合的形态。

4.如权利要求3所述的带静电自保护的MOS管结构，其特征是：所述的MOS管的漏区有源区接触孔与栅极之间的走向为L型，即从栅极开始穿过场氧隔离沟槽之间的间隙到达漏区有源区接触孔。

5.如权利要求4所述的带静电自保护的MOS管结构，其特征是：所述的L型走向在保证较小的漏区有源区面积下能增加从栅极到漏区有源区接触孔之间的有效路径，或者是在相同的从栅极到漏区有源区接触孔之间的有效路径下减小漏区有源区的面积。