[发明专利]一种酞菁共晶及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 202010360104.9 | 申请日： | 2020-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN111471051B | 公开（公告）日： | 2021-12-10 |
| 发明（设计）人： | 谢锦楼;林日彬 | 申请（专利权）人： | 广州安国科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C07D487/22 | 分类号： | C07D487/22;C07F7/28;G03G5/04 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 颜希文 |
| 地址： | 510663 广东省广州市高新技术*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 酞菁共晶 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种酞菁共晶的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)按比例称取氧钛酞菁粗晶和不含金属的酞菁粗晶；
(2)在溶剂A中溶解氧钛酞菁粗晶和不含金属的酞菁粗晶，得到混合溶液，所述溶剂A为三氟乙酸和二氯甲烷的混合液；
(3)将步骤(2)的混合溶液加入到非溶剂中骤冷，沉淀得到酞菁共晶中间体，其中，所述非溶剂包括水、醇、酮中的至少一种；
(4)采用芳香族溶剂对酞菁共晶中间体进行处理，得到所述酞菁共晶，所述芳香族溶剂包括芳香烃、芳香族硝基化合物、芳香族卤化物、苯酚中的至少一种；
所述步骤(2)中，三氟乙酸和二氯甲烷的体积比为1:10-10:1；
所述酞菁共晶是由氧钛酞菁和不含金属的酞菁形成的共晶，其中，氧钛酞菁和不含金属的酞菁的重量比为99:1-1:99。
2.根据权利要求1所述的酞菁共晶的制备方法，其特征在于，所述氧钛酞菁和不含金属的酞菁的重量比为95:5-50:50。
3.根据权利要求1所述的酞菁共晶的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中，三氟乙酸和二氯甲烷的体积比为2:8-8:2。
4.根据权利要求1所述的酞菁共晶的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中，还包括将氧钛酞菁粗晶和不含金属的酞菁粗晶完全溶解后的混合溶液进行静置的步骤，静置的温度为-25℃-145℃；静置的时间为10min-24h。
5.根据权利要求4所述的酞菁共晶的制备方法，其特征在于，所述静置的温度为-10℃-50℃，静置的时间为30min-12h。
6.根据权利要求1所述的酞菁共晶的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)中，混合溶液与非溶剂的体积比为10:90-90:10。
7.根据权利要求6所述的酞菁共晶的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)中，混合溶液与非溶剂的体积比为25:75-75:25。
8.根据权利要求1所述的酞菁共晶的制备方法，其特征在于，所述步骤(4)中，芳香族溶剂和酞菁共晶中间体的重量比为99:1-50:50。
9.根据权利要求8所述的酞菁共晶的制备方法，其特征在于，所述步骤(4)中，芳香族溶剂和酞菁共晶中间体的重量比为98:2-80:20。
10.一种由权利要求1～9任一项所述的酞菁共晶的制备方法制备的酞菁共晶在制备电子照相成像元件中的应用。
11.一种用于静电摄影或静电复印工艺的电子照相成像元件，其特征在于，包括基材、生电层和输电层，所述生电层包括由权利要求1～9任一项所述的酞菁共晶的制备方法制备的酞菁共晶。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广州安国科技股份有限公司，未经广州安国科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010360104.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
