[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202010360169.3 | 申请日： | 2016-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN111524863A | 公开（公告）日： | 2020-08-11 |
| 发明（设计）人： | 石堂仁则;玉川道昭;岩崎俊宽 | 申请（专利权）人： | 株式会社吉帝伟士 |
| 主分类号： | H01L23/29 | 分类号： | H01L23/29;H01L23/31;H01L23/498;H01L21/48;H01L21/60;H01L21/56;H01L23/488 |
| 代理公司： | 北京寰华知识产权代理有限公司 11408 | 代理人： | 何尤玉;郭仁建 |
| 地址： | 日本大分*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件，其包括：
第一区段，其包括第一绝缘材料和第一薄膜布线；
中间区段，其接触所述第一区段且包括中间绝缘材料；
在所述中间区段中的半导体元件，其具有从所述半导体元件的第一侧的第一电极突出的第一接触，其中所述中间绝缘材料接触所述第一接触、所述半导体元件的所述第一侧以及所述半导体元件的横向侧；以及
第二区段，其接触所述中间区段且包括第二绝缘材料和第二薄膜布线，其中所述第一接触直接接触所述第二薄膜布线。
2.根据权利要求1的半导体器件，其进一步包括第二接触，其延伸穿过所述中间区段且将所述第二薄膜布线与所述第一薄膜布线耦合。
3.根据权利要求1的半导体器件，其进一步包括与所述第一薄膜布线耦合的电子组件。
4.根据权利要求1的半导体器件，其进一步包括与所述第二薄膜布线耦合的电子组件。
5.根据权利要求1的半导体器件，其进一步包括与所述第一薄膜布线耦合的外部电极。
6.根据权利要求1的半导体器件，其进一步包括与所述第二薄膜布线耦合的外部电极。
7.根据权利要求1的半导体器件，其中，在载面图中：
所述第一接触包括相对的第一横向侧壁，所述第一横向侧壁彼此平行且与所述第一电极和所述第二薄膜布线大致上垂直，其中所述第一接触的导电材料限定相对的所述第一横向侧壁且填充所述第一横向侧壁之间的空间。
8.根据权利要求1的半导体器件，其中，在载面图中：
所述第二接触包括相对的第二横向侧壁，所述第二横向侧壁彼此平行且与所述第一薄膜布线和所述第二薄膜布线大致上垂直，其中所述第二接触的导电材料限定相对的所述第二横向侧壁且填充所述第二横向侧壁之间的空间。
9.一种制造半导体器件的方法，其包括：
提供第一区段，其包括第一绝缘材料和第一薄膜布线；
提供半导体元件，其与所述第一区段相邻；
提供第一接触，其从所述半导体元件的第一侧的第一电极突出；
提供中间区段，其接触所述第一区段且包括中间绝缘材料，其中所述中间绝缘材料接触所述第一接触、所述半导体元件的所述第一侧以及所述半导体元件的横向侧；以及
提供第二区段，其接触所述中间区段且包括第二绝缘材料和第二薄膜布线，其中所述第一接触直接接触所述第二薄膜布线。
10.根据权利要求9的方法，其进一步包括提供第二接触，其延伸穿过所述中间区段且将所述第二薄膜布线与所述第一薄膜布线耦合。
11.根据权利要求9的方法，其进一步包括提供与所述第一薄膜布线耦合的电子组件。
12.根据权利要求9的方法，其进一步包括提供与所述第二薄膜布线耦合的电子组件。
13.根据权利要求9的方法，其进一步包括提供与所述第一薄膜布线耦合的外部电极。
14.根据权利要求9的方法，其进一步包括提供与所述第二薄膜布线耦合的外部电极。
15.根据权利要求9的方法，其中，所述第一接触包括相对的第一横向侧壁，所述第一横向侧壁彼此平行且与所述第一电极和所述第二薄膜布线大致上垂直，其中所述第一接触的导电材料限定相对的所述第一横向侧壁且填充所述第一横向侧壁之间的空间。
16.根据权利要求9的方法，其中，所述第二接触包括相对的第二横向侧壁，所述第二横向侧壁彼此平行且与所述第一薄膜布线和所述第二薄膜布线大致上垂直，其中所述第二接触的导电材料限定相对的所述第二横向侧壁且填充所述第二横向侧壁之间的空间。
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