[发明专利]可测试的微器件排列结构及其制作方法、测试方法

说明书

本申请提供一种可测试的微器件排列结构及其制作方法、测试方法，微器件排列结构，包括衬底、位于衬底上呈阵列排布的多个微LED芯片，微LED芯片上第一电极和第二电极位于背离衬底的一侧，以及与微LED芯片的第一电极和/或第二电极电性连接的扩展电极，扩展电极的面积较大，且一个扩展电极同时电性连接2‑4个微LED芯片的电极。由于扩展电极的面积较大，使得微LED芯片能够使用探针进行光电性能测试；而扩展电极同时连接2‑4个微LED芯片的电极，使得测试过程中，探针移动次数能够相对于逐个测试的探针移动次数减少，从而能够节约测试时间；同时避免因为串联或并联时，由于坏点造成测试误差，提高了测试的准确度。

技术领域

本发明涉及半导体器件制作技术领域，尤其涉及一种可测试的微器件排列结构及其制作方法、测试方法。

背景技术

LED(Light-Emitting Diode，发光二极管)芯片作为半导体照明的核心元器件，保证其基本的光电性能和外观要求是后续加工的基础，在LED芯片的生产加工完成后，需要对芯片进行光电性能测试，以便根据其光电参数对LED芯片进行等级分类。

在现有LED芯片中，一般用自动测试机进行测试，但是现有技术中的点测技术通常适用于普通尺寸的LED芯片。随着LED的发展，MiniLED和MicroLED作为新一代显示技术，通过将LED芯片微小化使用，作为显示面板使用，但是现有技术中的自动测试机上探针无法对Mini LED和Micro LED微器件进行光电测试。

现有技术采用将芯片电极采用电极条整体引出，使得多个LED芯片并联或串联，批量测试、收集阵列芯片的光电数据，但是这样的检测准确性较低。而逐一引出大电极使用探针按照传统的方法逐一对芯片进行测试，则会占据较多晶圆有效面积，且由于一片晶圆上芯片的数量非常大，这无疑会耗费大量的时间。

因此，如何提供一种检测准确度与测试耗时能够折中，且占用有效面积较小的适用于微器件光电性能检测的结构和测试方法成为亟待解决的问题。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种可测试的微器件排列结构及其制作方法、测试方法，以解决现有技术中批量测试微器件效率高但准确度低、逐个测试微器件准确度高但效率低且占用有效面积较大的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种可测试的微器件排列结构，包括：

衬底；

位于所述衬底上呈阵列排布的多个微LED芯片，每个所述微LED芯片包括第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极均位于所述微LED芯片结构背离所述衬底的一侧；

位于所述第一电极和所述第二电极背离所述衬底一侧的扩展电极，所述扩展电极用于与所述第一电极和/或所述第二电极电性连接；

其中，一个所述扩展电极同时连接2-4个微LED芯片的电极，且所述扩展电极的面积大于与其连接的微LED芯片的电极面积之和，以使得采用探针电连接两个扩展电极对微LED芯片检测时，每两个探针单独检测一个微LED芯片。

优选地，还包括：平坦化层和阻挡层；

所述平坦化层位于所述衬底表面，且其厚度小于或等于所述微LED芯片的厚度；

所述阻挡层位于所述平坦化层和所述微LED芯片上，且暴露出所述微LED芯片的所述第一电极和所述第二电极。

优选地，所述扩展电极位于所述阻挡层背离所述衬底的表面。

优选地，一个扩展电极连接两个微LED芯片的电极。

优选地，呈阵列排布的多个微LED芯片每一列中包括：依次重复设置的第一微LED芯片和第二微LED芯片；