[发明专利]一种具有沟槽的深腔焊劈刀刀尖及其工作面的加工方法在审
申请号: | 202010360657.4 | 申请日: | 2020-04-30 |
公开(公告)号: | CN111681967A | 公开(公告)日: | 2020-09-18 |
发明(设计)人: | 徐波;杨强 | 申请(专利权)人: | 成都精蓉创科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/607 | 分类号: | H01L21/607;B81C1/00 |
代理公司: | 成都环泰专利代理事务所(特殊普通合伙) 51242 | 代理人: | 李斌;李辉 |
地址: | 610000 四川省成都市武*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 具有 沟槽 深腔焊 劈刀 刀尖 及其 工作面 加工 方法 | ||
本发明公开了一种具有沟槽的深腔焊劈刀刀尖,该劈刀刀尖的工作面上设有截面呈半圆形的沟槽,所述沟槽的长度等于劈刀刀尖的工作面的宽度,所述沟槽的半径为0.005mm~0.04mm,所述沟槽的内壁表面为粗糙面。本发明还提供了上述深腔焊劈刀刀尖工作面的加工方法,采用高精度电火花、皮秒激光或飞秒激光于劈刀刀尖的工作面上沿其宽度方向加工沟槽;采用微细电火花放电加工沟槽内壁表面的粗糙度。本发明具有利于劈刀的超声能量耦合,金丝焊点的形成及焊点形态良好,能够满足高精度的半导体封装要求的优点。
技术领域
本发明涉及微电子领域,特别是涉及一种具有沟槽的深腔焊劈刀刀尖及其工作面的加工方法。
背景技术
传统深腔焊劈刀刀尖的工作面加工不够精细,不能调节劈刀刀尖的工作面粗糙度,而工作面的粗糙度是劈刀和金丝、铝丝或铜丝在超声耦合中必要的条件;不同的焊接情况要对应不同的工作面及CG沟槽内表面粗糙度,并不是刀尖工作面及CG沟槽内表面越光滑越好,太光滑的工作表面及CG沟槽内壁,反而不利于劈刀的超声能量耦合到金丝、铝丝或铜丝上,存在损坏金丝、铝丝或铜丝焊点的形成及焊点形态的情况,无法满足高精度的半导体封装要求。
发明内容
针对上述问题,本发明提供了一种具有沟槽的深腔焊劈刀刀尖及其工作面的加工方法,具有利于劈刀的超声能量耦合,金丝(或铝丝或铜丝)焊点的形成及焊点形态良好,能够满足高精度的半导体封装要求的优点。
本发明的技术方案是:
一种具有沟槽的深腔焊劈刀刀尖,该深腔焊劈刀包括劈刀刀柄和劈刀刀尖,劈刀刀柄上具有直通孔,直通孔的尾端呈喇叭状,金丝(或铝丝或铜丝)送入更加方便,劈刀刀尖上具有穿丝孔,该劈刀刀尖的工作面上设有截面呈半圆形的沟槽,所述沟槽的长度等于劈刀刀尖的工作面的宽度,所述沟槽的半径为0.005mm~0.04mm,所述沟槽的内壁表面为粗糙面。
上述技术方案的工作原理如下:
在劈刀刀尖工作面的中部开一个半圆形的沟槽,有利于劈刀的超声能量耦合,同时给予了沟槽两边焊点应力释放的空间,减少了焊接过程中毛刺的产生。
本发明采用上述技术方案,金丝(或铝丝或铜丝)焊点的形成及焊点形态良好,能够满足高精度的半导体封装要求,解决了高精度的半导体封装时,焊接精度不高的技术问题。
在进一步的技术方案中,所述沟槽的内壁表面的粗糙度为Ra0.1~Ra0.6,更加利于超声能量耦合到金丝上,解决了因沟槽内表面过于光滑或过于粗糙而损坏金丝(或铝丝或铜丝)焊点的形成及焊点形态的技术问题。
在进一步的技术方案中,半圆形的沟槽的尺寸取决于刀尖工作面的长度,工作面长度小,则半圆形的沟槽的半径小;工作面长度大,则半圆形的沟槽的半径大。
本发明还提供了一种上述具有沟槽的深腔焊劈刀刀尖的工作面的加工方法,其技术方案是:
一种具有沟槽的深腔焊劈刀刀尖工作面的加工方法,包括以下步骤:
S1、采用高精度电火花、皮秒激光或飞秒激光于劈刀刀尖的工作面上沿其宽度方向加工沟槽;
S2、采用微细电火花放电加工沟槽内壁表面的粗糙度。
半圆形的沟槽的半径极其微小,现有的技术条件下,能达到半径为0.005mm~0.04mm要求的,只有激光和微细电火花放电加工,而激光加工的粗糙度不受控制,存在毛刺。微细电火花放电加工最小可加工直径为φ0.007mm(即半径为R0.0035mm),完全满足半圆形的沟槽尺寸要求,同时微细电火花放电加工的加工粗糙度可以控制在Ra0.1~Ra0.6之间,能够满足超声能量传递所需的表面粗糙度的要求。
本发明的有益效果是:本发明具有利于劈刀的超声能量耦合,金丝(或铝丝或铜丝)焊点的形成及焊点形态良好,能够满足高精度的半导体封装要求的优点。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造