[发明专利]一种实现ZnO微米线EHP激光的方法

权利要求书

1.一种实现ZnO微米线EHP激光的方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1：在ZnO:Ga微米线上溅射Ag准粒子薄膜，并利用焦耳热效应将ZnO:Ga微米线上的Ag准粒子薄膜转变成大尺寸的AgNPs，形成大尺寸AgNPs包覆ZnO:Ga微米线复合结构；

步骤2：利用激光激发出大尺寸AgNPs包覆ZnO:Ga微米线复合结构的EHP激光；

步骤1包括：

步骤1.1：将截面为六边形的单根ZnO:Ga微米线移置到石英衬底上，保证ZnO:Ga微米线的一个面和石英衬底贴合，并在ZnO:Ga微米线两端按压铟电极；

步骤1.2：在步骤1.1得到的ZnO:Ga微米线上溅射Ag纳米准粒子薄膜；

步骤1.3：将步骤1.2中得到的Ag纳米准粒子薄膜包裹的ZnO:Ga微米线放置在含CCD成像的显微镜下，使得能够在电脑软件中清楚看到ZnO:Ga微米线复合结构的像，然后在两端的铟电极上施加电压，直到能够看到ZnO:Ga微米线发光；在发光中心处，Ag纳米准粒子薄膜退变成孤立的大尺寸AgNPs；

所述大尺寸AgNPs的直径为200nm；

步骤1.2中，将ZnO:Ga微米线两边含铟电极的部分用掩模板遮挡起来，然后将其置入到磁控溅射仪真空腔室中，选用的溅射靶材为Ag靶材，纯度99.9999％，真空腔中气体为氩气，腔体气压31～32Pa，溅射电流28～29mA，溅射时间300～400s。

2.根据权利要求1所述的一种实现ZnO微米线EHP激光的方法，其特征在于，所述ZnO:Ga微米线采用化学气相沉积方法制备。

3.根据权利要求1所述的一种实现ZnO微米线EHP激光的方法，其特征在于，所述ZnO:Ga微米线的电子浓度为10¹⁸～10¹⁹/cm³，电子迁移率为10～95cm²/V·s。

4.根据权利要求1所述的一种实现ZnO微米线EHP激光的方法，其特征在于，溅射在ZnO:Ga微米线的Ag准粒子薄膜的厚度30～50nm。

5.根据权利要求1所述的一种实现ZnO微米线EHP激光的方法，其特征在于，步骤2中，所述激光的激发波长为355nm，激发功率为1～700μm。

6.根据权利要求1所述的一种实现ZnO微米线EHP激光的方法，其特征在于，步骤1.3中，所施加的电压值为0V～210V，电流值为0～1A。