[发明专利]一种无解理面晶片端面抛光方法

权利要求书

1.一种无解理面晶片端面抛光方法，其特征在于，所述方法包括：

将待研磨无解理面晶片粘结于陪片上，形成粘结体，所述陪片的研磨端面与所述待研磨无解理面晶片的待研磨端面相平，或者伸出所述待研磨无解理面晶片的待研磨端面；

将所述粘结体固定于夹具上，所述粘结体的待抛光端面伸出所述夹具；

通过所述夹具将所述粘结体的待抛光端面贴合于研磨盘上；

使用第一砂纸对无解理面晶片端面进行粗研磨，获得粗磨产品，所述无解理面晶片端面为无解理面晶圆被切割后所形成的切割面；

使用第二砂纸对所述粗磨产品的端面进行细研磨，获得细磨产品；

对所述细磨产品的端面进行粗抛光，获得粗抛产品；

对所述粗抛产品的端面进行细抛光，获得抛光产品；

所述粗抛光所用粗抛抛光剂为粒径为1.2～1.8μm的高效金刚石喷雾抛光剂；

所述细抛光所用细抛抛光剂中抛光液体积:去离子水的体积＝1:(0～3)，其中，所述抛光液中颗粒的直径为30～80nm。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述第一砂纸为干砂纸或者水砂纸；和/或

所述第一砂纸的颗粒直径为10～20μm；和/或

所述第二砂纸为干砂纸或者水砂纸；和/或

所述第二砂纸的颗粒直径为1～8μm。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，在粗研磨阶段，

晶片端面的去除量比目标总去除量少0.3～0.5mm；和/或

研磨机转速为25～35转/分；和/或

去离子水的滴加速度为1～5秒/滴。

4.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，在细研磨阶段，

晶片端面的去除量比目标总去除量少0.1～0.3mm；和/或

研磨机转速为20-50转/分；和/或

去离子水的滴加速度为3-6秒/滴。

5.根据权利要求1至或2所述的方法，其特征在于，在粗抛光阶段，

抛光机转速为25～30转/分；和/或

去离子水为6～8转/滴；和/或

抛光时间3～6小时。

6.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，在细抛光阶段，

抛光机转速为25-30转/分；和/或

去离子水为3～4转/滴；和/或

抛光时间为4～6小时。

7.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述待研磨无解理面晶片可以包括薄膜层。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述薄膜层与所述陪片粘结。

9.根据权利要求7或8所述的方法，其特征在于，所述陪片包括硅片、铌酸锂或者坦酸锂。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述陪片与所述无解理面晶片的材料相同。