[发明专利]一种包层组分优化的大有效模面积低损耗光纤

权利要求书

1.一种包层组分优化的大有效模面积低损耗光纤，包括芯层和包层，所述包层从内向外包括第一下陷层，第二下陷层和外包层，其特征在于，

第二下陷层为多元掺杂石英内包层，掺杂物包括氟，铝和磷，其中，铝和磷的掺杂量为0~10mol%，且成连续分布，铝和磷的摩尔比为0.7~1.3:1，铝和磷的共掺在玻璃中形成[AlPO₄]四面体，[AlPO₄]]四面体对第二下陷层的折射率贡献量为-0.8%~0，氟对第二下陷层的折射率贡献量为-0.05％～0，第二下陷层的相对折射率差△n2为-0.85％～0，第二下陷层半径R2为8～35μm；

第一下陷层多元掺杂石英内包层，掺杂物包括氟，铝和磷，其中，铝和磷的掺杂量为0~10mol%，且成连续分布，铝和磷的摩尔比为0.8~1.2:1，铝和磷的共掺在玻璃中形成[AlPO₄]]四面体，[AlPO₄]四面体对第一下陷层的折射率贡献量为-0.8%~0，氟对第一下陷层的折射率贡献量为-0.05％～0，第一下陷层的相对折射率差△n1为-0.85％～0，第一下陷层半径R1为6～20μm；

外包层为多元掺杂石英包层，掺杂元素为氟、铝和磷，其中铝和磷的掺杂量为0~5mol%，呈连续分布，铝和磷的摩尔比为0.9~1.1:1，氟对外包层的折射率贡献量为-0.02％～0，[AlPO₄]四面体对外包层的折射率贡献量为-0.4%~0，外包层的相对折射率差△n4为-0.42％～0，外包层半径R4为62.5μm；

芯层为多元掺杂二氧化硅芯层，掺杂物包括锗和氟，其中，锗对芯层的折射率贡献量为0～0.3％，氟对芯层的折射率贡献量为-0.05％～0，在芯层中呈连续分布，芯层的相对折射率差△n0为 0～0.25％，芯层半径R0为5～8μm。

2.根据权利要求1所述光纤，其特征在于，氟通过氟利昂或四氟化硅引入，磷为过五氧化二磷，通过三氯化磷原料引入，铝为氧化铝，通过氯化铝原料引入。

3.根据权利要求1所述光纤，其特征在于，所述包层还包括第三下陷层，所述第三下陷层位于第二下陷层和外包层之间。

4.根据权利要求3所述光纤，其特征在于，第三下陷层为多元掺杂石英内包层，掺杂物包括氟，铝和磷，其中，铝和磷的掺杂量为0~5mol%，且成连续分布，铝和磷的摩尔比为0.7~1.3:1，氟对第三下陷层的折射率贡献量为-0.05％～0，[AlPO₄]四面体对第三下陷层的折射率贡献量为-0.4%~0，第三下陷层的相对折射率差△n3为-0.45％～0，第三下陷层半径R3为8～62.5μm。

5.根据权利要求1~3任一项所述光纤，其特征在于，所述光纤在1550nm波长处的衰减小于或等于0.18dB/km。

6.根据权利要求1~3任一项所述光纤，其特征在于，所述光纤在1550nm波长处的衰减小于或等于0.16dB/km。

7.根据权利要求1~3任一项所述光纤，其特征在于，所述光纤在70℃、0 .01％H2体积浓度中反应至少16小时，光纤在1550nm波长处衰减变化值小于或等于0.01dB/km。