[发明专利]用于在半导体制造中定位图案的标记

权利要求书

1.一种用于形成标记的方法，所述标记用于在半导体制造中定位图案，所述方法包括：

将晶片划分成多个画面，其中，所述多个画面中的每一个画面包括多个半导体芯片管芯和围绕所述多个半导体芯片管芯的过程控制和监视PCM区域，所述PCM区域包括在各画面的角处的角PCM区域；

随后在所述多个画面中的四个相邻画面的四个角处的相应的角PCM区域分别图案化锁定角标记的四个四分之一，其中，所述锁定角标记的每一个四分之一与所述锁定角标记的相邻四分之一对称并且与所述锁定角标记的所述相邻四分之一分开标称上相同的距离，并且其中，所述锁定角标记具有通过所述四个四分之一形成的可区分的形状；以及

将所述锁定角标记设定为用于在半导体制造中在所述四个相邻画面中的至少一个画面中定位图案的原点。

2.如权利要求1所述的方法，其中，所述锁定角标记的每一个四分之一具有“L”形状。

3.如权利要求1或2所述的方法，其中，所述锁定角标记的每一个四分之一是单个图案，所述单个图案具有与相同画面的对应的半导体芯片管芯中的图案的特征尺寸大致相同的特征尺寸。

4.如权利要求3所述的方法，其中，所述特征尺寸大于约1μm。

5.如权利要求1或2所述的方法，其中，所述锁定角标记的每一个四分之一包括重复图案的阵列，每一个重复图案具有与相同画面的对应的半导体芯片管芯中的图案的特征尺寸大致相同的特征尺寸。

6.如权利要求5所述的方法，其中，所述特征尺寸不大于约200nm。

7.如权利要求1或2所述的方法，其中，所述锁定角标记的每一个四分之一在曝光区中被图案化，所述曝光区是对应的画面的单元尺寸的一个四分之一。

8.如权利要求7所述的方法，其中，随后分别图案化所述锁定角标记的所述四个四分之一包括随后在四个曝光区中的相应一个上应用四个光刻工艺中的每一个，使得所述锁定角标记的每一个四分之一仅由所述四个光刻工艺中的一个曝光。

9.如权利要求1或2所述的方法，其中，所述锁定角标记在所述四个相邻画面的中心处。

10.如权利要求1或2所述的方法，还包括沿划线切割所述晶片以将所述四个相邻画面从所述晶片分开，其中，所述锁定角标记的所述四个四分之一被图案化于所述划线中。

11.一种用于在半导体制造中形成锁定角标记的方法，包括：

在晶片的第一画面的第一角处图案化所述锁定角标记的第一四分之一；以及

在图案化所述锁定角标记的所述第一四分之一之后，在所述晶片的第二画面的第二角处图案化所述锁定角标记的第二四分之一，所述第二角与所述第一角相邻，

其中，所述锁定角标记的所述第一四分之一和所述第二四分之一是对称的并且是分开的，并且所述锁定角标记的所述第一四分之一和所述第二四分之一中的每一个包括重复图案的阵列，并且其中，所述锁定角标记具有通过四个四分之一形成的可区分的形状，并且其中，所述第一画面和所述第二画面分别包括多个半导体芯片管芯和围绕所述多个半导体芯片管芯的过程控制和监视PCM区域，所述PCM区域包括在各画面的角处的角PCM区域，所述第一角和所述第二角分别位于所述第一画面和所述第二画面中的相应的角PCM区域。

12.如权利要求11所述的方法，还包括在所述晶片的半导体芯片管芯中形成图案，其中，所述锁定角标记的所述第一四分之一和所述第二四分之一中的每一个重复图案的特征尺寸与所述半导体芯片管芯中的所述图案的特征尺寸大致相同。

13.如权利要求12所述的方法，其中，所述特征尺寸不大于约200nm。

14.如权利要求13所述的方法，其中，所述特征尺寸为约100nm。