[发明专利]一种带旁路功能的低噪声放大模块及控制方法

权利要求书

1.一种带旁路功能的低噪声放大模块，其特征在于，包括第一单刀双掷射频开关、第二单刀双掷射频开关以及低噪声放大器；第一单刀双掷射频开关的第一输出端与低噪声放大器输入端相连；第一单刀双掷射频开关的第二输出端与第二单刀双掷射频开关的第一输入端相连；低噪声放大器输出端与第二单刀双掷射频开关的第二输入端相连；所述低噪声放大器包括偏置网络、放大网络以及负反馈网络；所述偏置网络为放大网络的晶体管提供直流偏置；所述放大网络用于实现射频信号放大功能；所述负反馈网络用于实现阻抗匹配；所述偏置网络包括一个晶体管M3，五个电阻R4、R5、R6、R7、R8，两个电容C4、C5，一个电感L1；电阻R4一端连接电源，另一端连接晶体管M3的漏极；晶体管M3的漏极与栅极连接；电容C4一端连接地，另一端连接晶体管M3的栅极；电阻R5的一端连接晶体管M3的栅极，另一端为放大网络提供偏置；电阻R6一端连接电源，另一端连接电阻R7和R8；电阻R8另一端连接地；电阻R7另一端为放大网络的晶体管提供直流偏置；电容C5一端连接R8一端，另一端接地；电感L1一端连接电源，另一端为放大网络的晶体管供电。

2.根据权利要求1所述的一种带旁路功能的低噪声放大模块，其特征在于，所述第一单刀双掷射频开关与所述第二单刀双掷射频开关为相同开关。

3.根据权利要求2所述的一种带旁路功能的低噪声放大模块，其特征在于，每个单刀双掷射频开关均包括用于导通和关断的多个晶体管，用于隔离外部直流电压的多个电容以及用于控制信号串入射频端的多个电阻。

4.根据权利要求2所述的一种带旁路功能的低噪声放大模块，其特征在于，每个单刀双掷射频开关还包括两个晶体管、三个电容和三个电阻；晶体管M1的源极连接电容C1；晶体管M1的漏极连接电容C3；晶体管M1的栅极连接电阻R1；晶体管M2的源极连接电阻R3；晶体管M2的漏极连接电容C2；晶体管M2的栅极连接电阻R2；其中，电阻R1和电阻R3均连接电压VC；电阻R2接地。

5.根据权利要求1所述的一种带旁路功能的低噪声放大模块，其特征在于，所述放大网络包括两个晶体管，即晶体管M4和M5，晶体管M4的源极连接地，晶体管M4的漏极连接晶体管M5的源级。

6.根据权利要求1所述的一种带旁路功能的低噪声放大模块，其特征在于，所述负反馈网络包括电容C6和电阻R9，其中电容C6一端连接放大网络的晶体管漏极，另一端连接电阻R9；电阻R9另一端连接放大网络的晶体管栅极。

7.一种带旁路功能的低噪声放大控制方法，其应用于如权利要求1~6任一所述的一种带旁路功能的低噪声放大模块，其特征在于，所述方法包括：

从IN端口输入射频信号；

通过第一单刀双掷射频开关进行通路选择，选择第一通路或者第二通路；

在第一通路中，选择进入低噪声放大器实现信号放大，经过第二单刀双掷射频开关后传输至OUT端口；

在第二通路中，选择通过第二单刀双掷射频开关后传输至OUT端口，并从OUT端口输出放大后的射频信号。

8.根据权利要求7所述的一种带旁路功能的低噪声放大控制方法，其特征在于，当从IN端口输入的射频信号低于低噪声放大器输入1dB压缩点时，选择第一通路进行信号放大后送至后级处理；当从IN端口输入的射频信号大于低噪声放大器输入1dB压缩点时，选择第二通路将信号传输至后级处理。