[发明专利]半导体元件

说明书

本发明公开一种半导体元件，其包括活性结构及第一半导体层。活性结构包含活性区及具有第一导电型的第一掺质。活性区具有一最上表面及一最下表面。第一掺质分布于最上表面至最下表面。第一半导体层位于活性结构下且包含具有第二导电型的第二掺质。活性区包含一四元半导体材料。四元半导体材料包含砷(As)。

技术领域

本发明涉及半导体元件，特别是涉及半导体发光元件，如发光二极管。

背景技术

半导体元件的用途十分广泛，相关材料的开发研究也持续进行。举例来说，包含三族及五族元素的III-V族半导体材料可应用于各种光电半导体元件如发光二极管(Lightemitting diode，LED)、激光二极管(Laser diode，LD)、光电检测器或太阳能电池(Solarcell)，或者可以是例如开关或整流器的功率元件，能用于照明、医疗、显示、通讯、感测、电源系统等领域。作为半导体发光元件之一的发光二极管具有耗电量低以及寿命长等优点，因此大量被应用于各种领域。随着科技的发展，现今对于半导体元件仍存在许多技术研发的需求。

发明内容

本发明内容提供一种半导体元件，其包括活性结构及第一半导体层。活性结构包含活性区及具有第一导电型的第一掺质。活性区具有一最上表面及一最下表面。第一掺质分布于最上表面至最下表面。第一半导体层位于活性结构下且包含具有第二导电型的第二掺质。活性区包含一四元半导体材料。四元半导体材料包含砷(As)。

附图说明

图1为本发明一实施例的半导体元件的结构上视图；

图2为图1的半导体元件沿A-A’线的剖面结构示意图；

图3为本发明一实施例的半导体元件的剖面结构示意图；

图4为本发明一实施例的半导体元件部分的外延结构SIMS图；

图5为本发明一实施例的半导体元件的剖面结构示意图；

图6为本发明一实施例的半导体元件的剖面结构示意图；

图7为本发明一实施例的半导体元件的剖面结构示意图；

图8为本发明内容一实施例的半导体元件的封装结构示意图。

符号说明

100、200、300、400、500、60：半导体元件

10：基底

10a：第一侧

10b：第二侧

12：活性结构

14：第一半导体层

16：第二半导体层

17：窗户层

18：第一电极

18a：主电极

18b：延伸电极

20：第二电极

24：中间层

26：接触层

28：过渡层

30：反射结构

32：绝缘层

34：导电层

40：粘着层

61：封装基底

62：通孔

63：载体

63a：第一部分