[发明专利]零部件、等离子体反应装置及零部件加工方法在审
申请号: | 202010361663.1 | 申请日: | 2020-04-30 |
公开(公告)号: | CN113594014A | 公开(公告)日: | 2021-11-02 |
发明(设计)人: | 段蛟;孙祥;陈星建 | 申请(专利权)人: | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32;C25F3/02 |
代理公司: | 深圳中创智财知识产权代理有限公司 44553 | 代理人: | 文言;田宇 |
地址: | 200120 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 零部件 等离子体 反应 装置 加工 方法 | ||
1.一种用于等离子体反应装置中的零部件,所述等离子体反应装置包括反应腔,所述反应腔内为等离子体环境,所述零部件暴露于所述等离子体环境中,其特征在于:
所述零部件包括衬底和涂覆在所述衬底表面的耐等离子体涂层,所述衬底的表面设置有若干凹槽,相邻所述凹槽间形成凸起;每个所述凹槽的宽度W1≤30nm、深度H1≤100nm;
所述耐等离子体涂层覆盖于所述凹槽的侧壁表面、底部表面和所述凸起的顶部表面。
2.根据权利要求1所述的零部件,其特征在于:每个所述凸起的宽度W2≤30nm。
3.根据权利要求1所述的零部件,其特征在于:所述凹槽的底部面积和所述凸起的顶部面积的面积比为3:7—7:3。
4.根据权利要求1所述的零部件,其特征在于:所述耐等离子体涂层的材质包括Y、Sc、La、Ce、Pr、Nd、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb或Lu中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的零部件,其特征在于:所述衬底的材质包括铝合金、不锈钢、钨或钛中的至少一种。
6.一种等离子体反应装置,其特征在于,包括:
反应腔,所述反应腔内为等离子体环境;
如权利要求1至权利要求5中任一项所述的零部件,所述零部件暴露于所述等离子体环境中。
7.根据权利要求6所述的等离子体反应装置,其特征在于:所述等离子体反应装置为电容耦合等离子体反应装置时,所述零部件包括喷淋头、气体分配板、上接地环、下接地环、气体管路、聚焦环、绝缘环、静电卡盘、覆盖环或衬底固持框中的至少一种。
8.根据权利要求6所述的等离子体反应装置,其特征在于:所述等离子体反应装置为电感耦合等离子体反应装置时,所述零部件包括陶瓷盖板、衬套、气体喷嘴、气体连接法兰、聚焦环、绝缘环、静电卡盘、覆盖环或衬底固持框中的至少一种。
9.一种零部件加工方法,其特征在于:
提供零部件本体;
对所述零部件本体进行加工形成如权利要求1至权利要求5中任一项所述的零部件。
10.根据权利要求9所述的零部件加工方法,其特征在于,对所述零部件本体进行加工形成所述零部件的方法包括:对所述零部件本体表面进行处理,形成所述衬底;在所述衬底表面形成所述耐等离子体涂层。
11.根据权利要求10所述的零部件加工方法,其特征在于:在所述零部件本体表面不需要加工形成所述凹槽的部位设置有密封保护结构。
12.根据权利要求11所述的零部件加工方法,其特征在于:通过电化学腐蚀方法对所述零部件本体表面进行加工形成所述衬底,所述电化学腐蚀方法包括:
设置所述零部件本体为金属导体,与电源的正极电性连接;
设置石墨,与所述电源的负极电性连接;
将所述零部件本体浸泡于电解腐蚀液中,当接通零部件本体-电源-石墨电路时,所述零部件本体其未覆盖有所述密封保护结构的部位发生电化学腐蚀形成所述凹槽。
13.根据权利要求11所述的零部件的加工方法,其特征在于,通过等离子体刻蚀方法对所述零部件本体表面进行加工形成所述衬底,所述等离子体刻蚀方法包括:
在真空环境中设置电场;
向真空环境中通入工艺气体,工艺气体在射频激励作用下形成等离子体;
等离子体在电场作用下对所述零部件本体其表面未覆盖有所述密封保护结构的部位进行等离子体刻蚀以形成所述凹槽。
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