[发明专利]微流体致动器的异质整合芯片在审
申请号: | 202010361766.8 | 申请日: | 2020-04-30 |
公开(公告)号: | CN113594148A | 公开(公告)日: | 2021-11-02 |
发明(设计)人: | 莫皓然;戴贤忠;方麟辉;韩永隆;黄启峰;郭俊毅;林宗义;谢锦文 | 申请(专利权)人: | 研能科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L25/16 | 分类号: | H01L25/16;B81C1/00 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 喻学兵 |
地址: | 中国台湾新竹市*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 流体 致动器 整合 芯片 | ||
1.一种微流体致动器的异质整合芯片,包含:
一第一基板,具有一第一腔体;
一第一绝缘层,设置于该第一基板上;
一第一导电层,设置于该第一绝缘层上,并具有至少一电极垫片;
一压电层,设置于该第一导电层上;
一第二导电层,设置于该压电层上;
一第二基板,接合于该第一基板,借以定义出一第二腔体,并具有一喷孔、一流体流道以及一第三腔体;
一接合层,接合于该第一基板与该第二基板之间;
一控制元件,设置于该第二基板中;
至少一穿孔槽,由该至少一电极垫片贯穿至该第二基板;以及
至少一导电体,填充于该至少一穿孔槽中。
2.如权利要求1所述的微流体致动器的异质整合芯片,其特征在于,该第一基板与该第二基板分别为一硅基板。
3.如权利要求1所述的微流体致动器的异质整合芯片,其特征在于,该第一绝缘层为一氮化硅材料。
4.如权利要求1所述的微流体致动器的异质整合芯片,其特征在于,该控制元件为一金属氧化物半导体场效晶体管。
5.如权利要求1所述的微流体致动器的异质整合芯片,其特征在于,更包含至少一布线体,电性连接于该控制元件与该至少一导电体之间。
6.如权利要求1所述的微流体致动器的异质整合芯片,其特征在于,该第一腔体的一第一深度介于50μm~200μm之间。
7.如权利要求1所述的微流体致动器的异质整合芯片,其特征在于,该接合层的一第二深度介于10μm~35μm之间。
8.如权利要求1所述的微流体致动器的异质整合芯片,其特征在于,该接合层底部至该第二基板底部的一第三深度介于370μm~525μm之间。
9.如权利要求1所述的微流体致动器的异质整合芯片,其特征在于,该第二基板具有至少一接合凸件。
10.如权利要求9所述的微流体致动器的异质整合芯片,其特征在于,该至少一接合凸件的形状为正方体、长方体、四边体其中之一。
11.如权利要求10所述的微流体致动器的异质整合芯片,其特征在于,该第一基板具有至少一接合凹槽,该至少一接合凹槽与该第二基板的该至少一接合凸件的形状相对应。
12.如权利要求1所述的微流体致动器的异质整合芯片,其特征在于,更包含一过滤结构,设置于该第二腔体内。
13.如权利要求12所述的微流体致动器的异质整合芯片,其特征在于,该过滤结构的形状为导槽状、方柱状、圆柱状其中之一。
14.一种微流体致动器的异质整合芯片,包含:
一第一基板,具有至少一第一腔体;
一第一绝缘层,设置于该第一基板上;
一第一导电层,设置于该第一绝缘层上,并具有至少一电极垫片;
一压电层,设置于该第一导电层上;
一第二导电层,设置于该压电层上,该第一导电层、该压电层、该第二导电层定义出至少一致动区;
一第二基板,接合于该第一基板,借以定义出至少一第二腔体,并具有至少一喷孔、至少一流体流道以及至少一第三腔体,该第一基板的该至少一第一腔体、该第二基板的该至少一第二腔体、该至少一喷孔、该至少一流体流道以及该至少一第三腔体与该至少一致动区位置相对应;
一控制元件,设置于该第二基板中;
至少一穿孔槽,由该至少一电极垫片贯穿至该第二基板;以及
至少一导电体,填充于该至少一穿孔槽中。
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