[发明专利]一种功率半导体器件壳温多点测量装置

权利要求书

1.一种功率半导体器件壳温多点测量装置，其特征在于，设置于换热器(2)上，其包括测温基板(1-1)和多个测温元件(1-2)；

所述测温基板(1-1)安装于换热器(2)上，所述多个测温元件(1-2)安装于所述测温基板(1-1)上；

测量时，所述多个测温元件(1-2)置于半导体功率器件的外壳上，用于对功率半导体器件壳温进行多点测量。

2.根据权利要求1所述的功率半导体器件壳温多点测量装置，其特征在于，所述测温基板(1-1)上开有多条纵向主沟槽，在每条纵向主沟槽上开有多条横向分支沟道；每条纵向主沟槽和连接的横向分支沟道形成丰字型沟槽(1-1-1)，所述丰字型沟槽(1-1-1)贯通测温基板(1-1)的上表面和下表面，所述丰字型沟槽(1-1-1)的一端与第一条横向分支沟道连接，其另一端外延至测温基板1-1的侧面；

所述测温元件(1-2)安装于丰字型沟槽(1-1-1)内部。

3.根据权利要求2所述的功率半导体器件壳温多点测量装置，其特征在于，所述测温元件(1-2)为微型可压缩结构，其包括测温探头(1-2-1)、弹簧仓(1-2-3)和压簧(1-2-4)；

所述测温探头(1-2-1)包括接触式测温元件，其上端设有凸台结构，其下端设有内嵌凹槽，所述压簧(1-2-4)位于弹簧仓(1-2-3)内部，所述弹簧仓(1-2-3)安装于内嵌凹槽内，且所述弹簧仓(1-2-3)在内能够伸缩滑动，能够对不同封装形式的功率半导体器件壳温进行测量。

4.根据权利要求3所述的功率半导体器件壳温多点测量装置，其特征在于，所述接触式测温元件为热电偶或热电阻。

5.根据权利要求3所述的功率半导体器件壳温多点测量装置，其特征在于，所述丰字型沟槽(1-1-1)在测温基板(1-1)上表面的开口宽度小于其在测温基板(1-1)下表面的开口宽度。

6.根据权利要求5所述的功率半导体器件壳温多点测量装置，其特征在于，所述凸台结构的上端面和下断面均为圆形；

所述上端面的直径小于下断面的直径，所述上端面的直径与丰字型沟槽(1-1-1)在测温基板(1-1)上表面的开口宽度匹配，所述下断面的直径与丰字型沟槽(1-1-1)在测温基板(1-1)下表面的开口宽度匹配。

7.根据权利要求2所述的功率半导体器件壳温多点测量装置，其特征在于，所述横向分支沟道的末端为限位凹槽(1-1-1-3)，用于对测温元件(1-2)进行限位；

所述纵向主沟槽位于被测功率半导体器件(4)内部的相邻芯片之间，所述限位凹槽(1-1-1-3)与芯片位置对应。

8.根据权利要求3所述的功率半导体器件壳温多点测量装置，其特征在于，所述弹簧仓(1-2-3)为内空圆柱状结构；

所述弹簧仓(1-2-3)下端为半球面，其上端镶嵌与内嵌凹槽内。

9.根据权利要求3所述的功率半导体器件壳温多点测量装置，其特征在于，所述压簧(1-2-4)的工作载荷不低于2N，其工作压缩行程不低于5mm。

10.根据权利要求2所述的功率半导体器件壳温多点测量装置，其特征在于，所述测温基板(1-1)上还设有多个定位孔；

其中一个定位孔位于测温基板(1-1)上表面的中心位置，其余定位孔均匀对称分布于周围，用于定位被测功率半导体器件(4)。

11.根据权利要求1所述的功率半导体器件壳温多点测量装置，其特征在于，所述测温基板(1-1)上还设有多个连接孔；

多个连接孔均为柱状沉孔，均匀设置于测温基板(1-1)边缘，用于连接换热器(2)。