[发明专利]半导体传感器的表面处理

权利要求书

1.一种传感器组件，其包含∶

传感器，其包括传感器表面；

与所述传感器合作并暴露所述传感器表面的反应位点，所述反应位点包括反应位点表面；以及

结合于所述反应位点表面或所述传感器表面的表面剂，所述表面剂包括与所述反应位点表面或所述传感器表面上的布忍司特碱或路易斯酸官能团反应的表面活性官能团并包括不具有供电子对的远端官能团。

2.根据权利要求1所述的传感器，其中所述表面活性官能团包括硅烷、磷酸酯、膦酸、次膦酸、二元膦酸、异氰酸酯、儿茶酚、异羟肟酸酯、其烷氧基衍生物或其任何组合。

3.根据权利要求2所述的传感器，其中所述表面活性官能团包括硅烷或其烷氧基衍生物。

4.根据权利要求2所述的传感器，其中所述表面活性官能团包括磷酸酯、膦酸、次膦酸、二元膦酸、其烷氧基衍生物或其任何组合。

5.根据权利要求2所述的传感器，其中所述表面活性官能团包括异氰酸酯、儿茶酚、异羟肟酸酯、其烷氧基衍生物或其任何组合。

6.根据权利要求2所述的传感器，其中所述远端官能团包括烷基或季铵。

7.根据权利要求6所述的传感器，其中所述季铵衍生自仲胺、叔胺或杂环胺。

8.根据权利要求7所述的传感器，其中所述杂环胺包括吡咯烷、吡咯、咪唑、哌啶、吡啶、嘧啶、嘌呤或其组合。

9.根据权利要求1至8中任一权利要求所述的传感器，其中所述表面剂为烷基三烷氧基硅烷、季铵烷基烷氧基硅烷的盐、其氟化或氯化衍生物、其衍生物或其组合。

10.根据权利要求1至9中任一权利要求所述的传感器，其中所述表面剂为烷基膦酸、季氨基磷酸的盐、其氟化或氯化衍生物、其衍生物或其组合。

11.根据权利要求1至10中任一权利要求所述的传感器，其中所述远端官能团具有正电荷。

12.根据权利要求1至11中任一权利要求所述的传感器，其中所述表面剂以单层结合。

13.根据权利要求1至12中任一权利要求所述的传感器，其中所述传感器包括场效应晶体管。

14.根据权利要求13所述的传感器，其中所述场效应晶体管包括离子敏感性场效应晶体管。

15.根据权利要求1至14中任一权利要求所述的传感器，其中所述传感器为传感器阵列的一部分并且其中所述反应位点为可操作地耦接到所述传感器阵列的井阵列的井。

16.根据权利要求1至15中任一权利要求所述的传感器，其中所述表面剂结合于所述传感器表面。

17.根据权利要求1至16中任一权利要求所述的传感器，其中所述表面剂结合于所述反应位点表面。

18.一种形成传感器组件的方法，所述方法包含：

用氧等离子体处理晶片，所述晶片包括多个晶粒，所述多个晶粒的每个晶粒包括传感器阵列和与所述传感器阵列合作的反应位点阵列；以及

将表面剂施加到所述晶片，所述表面剂结合于所述反应位点的表面或所述传感器阵列的传感器表面，所述表面剂包括与所述反应位点表面或所述传感器表面上的布忍司特碱或路易斯酸官能团反应的表面活性官能团并包括不具有供电子对的远端官能团。

19.根据权利要求18所述的方法，其进一步包含在施加所述表面剂后将所述晶片退火。