[发明专利]激光元件

权利要求书

1.一种半导体元件，其特征在于，包括：

永久基板，具有第一侧面及第二侧面；

外延结构，位于该永久基板上且包含半导体结构，该半导体结构具有第一侧边邻近该第一侧面及第二侧边邻近该第二侧面；

第一连接层，位于该外延结构与永久基板之间，且具有第一凸出部向外延伸超出该第一侧边及第二凸出部向外延伸超出该第二侧边；及

第一电极，位于该第一连接层上，且接触该第一凸出部及第二凸出部。

2.如权利要求1所述的半导体元件，其中，该第一电极包含本体部及环绕部，该环绕部连结该本体部且覆盖该第一侧边及该第二侧边。

3.如权利要求1所述的半导体元件，另包含一第二电极，被该第一电极所环绕。

4.如权利要求2所述的半导体元件，另包含一第二电极，其中，该本体部与第二电极具有第一间隙，该环绕部与该第二电极具有第二间隙，第二间隙小于第一间隙。

5.如权利要求1所述的半导体元件，其中该第一电极具有一高度小于8.5μm。

6.如权利要求1所述的半导体元件，其中，在一剖视图中，该第一侧边与该第一侧面之间的第一距离D1与该第二侧边与该第二侧面之间的第二距离D2的差距小于该第一距离的30％。

7.如权利要求1所述的半导体元件，另包含绝缘层，该绝缘层具有环状的开口部。

8.如权利要求7所述的半导体元件，其中，该第一电极包含本体部及环绕部，该环绕部完全覆盖该开口部且具有一上视面积大于该开口部的一上视面积。

9.如权利要求1所述的半导体元件，另包含抗反射层，覆盖该永久基板。

10.一种半导体元件，其特征在于，包括：

电路载板；

如权利要求1所述的半导体元件位于该电路载板上；

光学阵列位于该半导体元件上。