[发明专利]一种氧化铜纳米片的制备方法在审
| 申请号： | 202010362887.4 | 申请日： | 2020-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN111547758A | 公开（公告）日： | 2020-08-18 |
| 发明（设计）人： | 张展;穆春丰;张欣;姚君;贾楠楠;张馨予 | 申请（专利权）人： | 鞍钢股份有限公司 |
| 主分类号： | C01G3/02 | 分类号： | C01G3/02;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 114021 *** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 氧化铜 纳米 制备 方法 | ||
1.一种氧化铜纳米片的制备方法，其特征在于包括如下步骤：
1)取氢氧化钠NaOH和十六烷基三甲基溴化铵CTAB，质量比为7：1—4：1，将混合物溶解在过量去离子水中，在30-60r/min的搅拌速率下升温至60-85℃，形成碱性溶液；
2)硝酸铜(II)三水合物Cu(NO3)2添加到去离子水中，搅拌均匀形成硝酸铜溶液；
3)将步骤2种含有硝酸铜的溶液逐渐添加到步骤1的碱性溶液中，最终控制NaOH的最终浓度为2.5-4mol/L，CTAB的最终浓度为50-80mmol/L，Cu(NO3)2的最终浓度为10-15mmol/L；
4)将混合溶液在30-70℃的恒温下保持0.5-2h，硝酸铜和氢氧化钠吸附在CTAB上，发生如下反应：
Cu(NO3)2+2NaOH→2NaNO3+Cu(OH)2
氢氧化铜沉淀逐渐沉积在模板CTAB上，因此氢氧化铜沉淀厚度均匀；然后过滤取出沉淀物，用过量去离子水和乙醇洗涤黑色沉淀，将CTAB洗去；
5)将清洗后的沉淀物在220-280℃的环境下煅烧，氢氧化铜转化为氧化铜，形成厚度均匀的氧化铜纳米片。
2.根据权利要求1所述的一种氧化铜纳米片的制备方法，其特在在于：步骤1中过量去离子水为混合物质量10倍以上。
3.根据权利要求1所述的一种氧化铜纳米片的制备方法，其特在在于：步骤2中去离子水为硝酸铜(II)三水合物Cu(NO3)2质量的300％以上。
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