[发明专利]基板处理方法、基板处理装置和基板处理系统

说明书

涉及一种基板处理方法、基板处理装置和基板处理系统。用于处理基板的方法包括：第一处理操作，其用于通过将具有第一波长的第一激光束照射到旋转的基板的边缘区域，来处理所述基板的所述边缘区域；以及第二处理操作，其用于通过将具有第二波长的第二激光束照射到所述旋转的基板的所述边缘区域来处理所述边缘区域，其中所述第一波长和所述第二波长彼此不同。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2019年4月30日提交的、申请号为10-2019-0050434的韩国专利申请的优先权和权益，其全部内容通过引用结合在本申请中。

技术领域

本文中描述的发明构思的实施方式涉及一种基板处理方法、基板处理装置和基板处理系统。

背景技术

在诸如用于制造基板(例如半导体晶片或平板显示器)的玻璃面板的处理期间，执行各种工艺，诸如涂布(application)、摄影(photographing)、沉积、灰化、蚀刻和离子注入。在执行用于处理基板的工艺时，将固化的薄膜涂覆或沉积在基板的表面上。另外，需要边缘珠粒(edge bead)去除工艺以增加基板边缘处的生产出品率(yield)。边缘珠粒去除工艺将不需要的薄膜和附着的副产物聚合物从基板的边缘区域去除。

图1是示出了在常规基板处理装置中执行边缘珠粒去除工艺的视图。参照图1，常规基板处理装置1具有旋转卡盘2和喷嘴4。旋转卡盘2支承和旋转基板W。喷嘴4将化学品C喷涂在基板W的边缘区域上。各喷嘴4设置在基板W的上方和下方，以将化学品C喷涂在基板W的顶表面和底表面上。喷涂的化学品C将设置在基板W的边缘区域上的薄膜F去除。然而，当通过喷涂化学品C来执行边缘珠粒去除工艺时，没有适当地执行基板W的边缘区域中的薄膜F的去除。例如，如图2所示，基板W的边缘区域中的薄膜F可以在基板W的径向方向上向外向下倾斜地去除。这是因为化学品C在基板W旋转的情况下供应。当没有适当地执行基板W的边缘区域中的薄膜F的去除时，生产工艺的出品率降低。此外，由于在去除工艺之后在基板W的表面上形成针标(pinmark)，因此存在额外污染的风险。

发明内容

本发明构思的实施方式提供了一种基板处理方法、基板处理装置和基板处理系统，其中以高效率从基板去除膜。

此外，本发明构思的实施方式提供了一种基板处理方法、基板处理装置和基板处理系统，其中通过将多个单位脉冲激光束照射到基板上的膜上，膜去除效率增加。

此外，本发明构思的实施方式提供了一种基板处理方法、基板处理装置和基板处理系统，其中通过将多个单位脉冲激光束照射到基板上的膜上，使膜去除区域最小化。

此外，本发明构思的实施方式提供了一种基板处理方法、基板处理装置和基板处理系统，其中根据膜的类型改变待照射的激光束的波长，以使膜去除的效率最大化。

本发明构思的目的不限于此。通过以下描述，本领域技术人员将清楚地理解未提及的其他目的。

根据示例性实施方式，一种用于处理基板的方法包括：第一处理操作，其用于通过将具有第一波长的第一激光束照射到旋转的基板的边缘区域，来处理所述基板的所述边缘区域；以及第二处理操作，其用于通过将具有第二波长的第二激光束照射到所述旋转的基板的所述边缘区域，来处理所述边缘区域，其中所述第一波长和所述第二波长彼此不同。

所述基板的所述处理可以包括从所述基板去除膜，其中所述膜可以包括第一膜和第二膜、所述第二膜与所述第一膜不同，其中所述第一膜和所述第二膜可以垂直地依序地堆叠在所述基板上。当去除所述第一膜时，可以执行所述第一处理操作。当去除所述第二膜时，可以执行所述第二处理操作。

所述第一处理操作和所述第二处理操作可以依序执行。

所述第一波长和所述第二波长的每个可以处于150nm至1200nm的范围内。