[发明专利]一种多孔碳包覆CoFe合金-SiC的复合电磁屏蔽材料及其制法

权利要求书

1.一种多孔碳包覆CoFe合金-SiC的复合电磁屏蔽材料，包括以下原料及组分，其特征在于：生物质基纳米碳化硅、硝酸钴、铁氰化钾、柠檬酸钠，质量比为5-20:1:2-2.5:1.6-2。

2.根据权利要求1所述的一种多孔碳包覆CoFe合金-SiC的复合电磁屏蔽材料，其特征在于：所述多孔碳包覆CoFe合金-SiC的复合电磁屏蔽材料制备方法包括以下步骤：

(1)将废弃的玉米秸秆洗涤干净后置于行星球磨机中，公转转速为340-500rpm，自转转速为170-250rpm，球磨成细粉，向乙醇溶剂中加入硝酸钴、正硅酸乙酯和乙二酸的水溶液，匀速搅拌20-30h，将球磨好的生物质细粉充分干燥后倒入溶液中，超声分散均匀后加入六次甲基四胺，搅拌直至形成凝胶状，凝胶状产物干燥除去溶剂，固体混合产物置于气氛电阻炉中，在氩气氛围中，升温速率为5-10℃/min，升温至500-550℃，保温处理30-60min，再升温至950-1050℃，保温处理30-60min，升温速率调至2-4℃，升温至1300-1350℃，保温处理6-7h，将煅烧温度降至600-700℃，通入空气保温煅烧2-3h，将煅烧产物置于氢氟酸中浸渍除去二氧化硅，洗涤并干燥，制备得到生物质基纳米碳化硅；

(2)向蒸馏水溶剂中加入生物质基纳米碳化硅，超声分散均匀后加入硝酸钴和柠檬酸钠，缓慢滴加铁氰化钾的水溶液，反应15-25h，静置陈化10-20h，离心分离、洗涤并干燥，制备得到Co-Fe双金属MOFs包覆纳米碳化硅；

(3)将Co-Fe双金属MOFs包覆纳米碳化硅置于气氛电阻炉中，在氢气和氩气混合气体氛围中，升温速率为2-5℃/min，升温至680-750℃，保温煅烧1-1.5h，制备得到多孔碳包覆CoFe合金-SiC的复合电磁屏蔽材料。

3.根据权利要求2所述的一种多孔碳包覆CoFe合金-SiC的复合电磁屏蔽材料，其特征在于：所述气氛电阻炉包括气氛室、气氛室内部固定连接有通气管、通气管表面设置有通气孔、气氛室内部下方固定连接有底座、底座上方设置有煅烧坩埚。

4.根据权利要求2所述的一种多孔碳包覆CoFe合金-SiC的复合电磁屏蔽材料，其特征在于：所述步骤(1)中的硝酸钴、正硅酸乙酯、乙二酸、生物质细粉和六次甲基四胺的质量比为2-3:100:7-9:70-120:4-5。

5.根据权利要求2所述的一种多孔碳包覆CoFe合金-SiC的复合电磁屏蔽材料，其特征在于：所述步骤(3)中的氢气和氩气的体积比为8-15:85-92。