[发明专利]化学气相沉积制备基于无铅全无机钙钛矿薄膜的柔性阻变存储器

权利要求书

1.一种基于无铅全无机钙钛矿薄膜的柔性阻变存储器的方法，其特征在于，包括如下步骤：

在柔性衬底表面沉积第一金属薄膜；

通过化学气相沉积法，以溴化铅与溴化铯为原料，在第一金属薄膜表面生长无铅全无机钙钛矿薄膜，作为器件的存储层；

在无铅全无机钙钛矿薄膜上沉积第二金属薄膜。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，柔性衬底为聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯或表面抛光的金属箔。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，第一金属薄膜、第二金属薄膜采用采用磁控溅射、热蒸发或激光脉冲沉积方法得到；第一金属薄膜材料选用铂或金；第二金属薄膜材料选用金、铂、铜或银。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，化学气相沉积法沉积的全无机钙钛矿薄膜厚度为100nm。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，第一金属薄膜的厚度为100nm, 第二金属薄膜的厚度为50nm。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，包括以下步骤：

1）选择柔性衬底，在其上沉积厚度为50-200nm的金属薄膜作为下金属电极；

2）选择具有双温区的管式炉来合成无铅全无机钙钛矿薄膜，将溴化铅和溴化铯粉末按照相同的摩尔比例分别放在两个石英坩埚里面，然后把石英坩埚相邻的放在管式炉的高温区，将柔性衬底放在低温区；在整个生长过程中通入高纯度氩气的流速为100~400sccm；将高温区在60~120分钟内从室温升到600~1000℃，并保持2~10分钟；同时低温区在10~50分钟从室温升温到250℃，并继续在30~90分钟升温到300℃；自然冷却后得到无铅全无机钙钛矿薄膜，作为器件的存储层；

3）采用直径为20~200μm的掩模版，在无铅全无机钙钛矿薄膜上沉积厚度为50-200nm的金属薄膜，作为上金属电极。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述步骤2）中的高纯度氩气的流速为200sccm；将高温区控制在90分钟内从室温升到750℃，并保持2分钟；将低温区控制在35分钟内从室温升到250℃，继续在60分钟升温到300℃。

8.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述步骤3）中圆形掩模版的直径为30μm。

9.权利要求1-8任一项所述方法得到的基于无铅全无机钙钛矿薄膜的柔性阻变存储器。