[发明专利]具有分段存储器堆叠电阻的存储器阵列

权利要求书

1.一种设备，其包括：

第一驱动器组件；

第二驱动器组件；和

存储器堆叠，其与所述第一驱动器组件和所述第二驱动器组件耦合并且包括：

第一子组的存储器堆叠，其具有小于或等于第一阈值电距离的第一电距离，所述第一子组的存储器堆叠中的每一存储器堆叠包括第一多个材料层，其中所述第一多个材料层的第一组合电阻大于第一阈值电阻；和

第二子组的存储器堆叠，其具有大于所述第一阈值电距离的第二电距离，所述第二子组的存储器堆叠中的每一存储器堆叠包括第二多个材料层，其中所述第二多个材料层的第二组合电阻小于或等于所述第一阈值电阻，且其中：

所述第一电距离和所述第二电距离至少部分地基于距所述第一驱动器组件或所述第二驱动器组件中的至少一个的距离。

2.根据权利要求1所述的设备，其另外包括：

存储器层，其与所述第一驱动器组件和所述第二驱动器组件耦合并且包括：

第一区，其包括所述第一子组的存储器堆叠；和

第二区，其包括所述第二子组的存储器堆叠。

3.根据权利要求2所述的设备，其中：

所述第一子组的存储器堆叠中的每一存储器堆叠包括相应存储组件，且其中所述第一多个材料层中的每一个的电阻变化小于存储组件的电阻变化，且

所述第二子组的存储器堆叠中的每一存储器堆叠包括相应存储组件，且其中所述第二多个材料层中的每一个的电阻变化小于存储组件的电阻变化。

4.根据权利要求2所述的设备，其中：

所述第一多个材料层包括一组不包含第一存储层的材料层，且

所述第一多个材料层包括一组不包含第二存储层的材料层。

5.根据权利要求2所述的设备，其另外包括：

多个存储器层，其与所述第一驱动器组件和所述第二驱动器组件耦合，其中所述多个存储器层包括所述存储器层和第二存储器层，所述第二存储器层包括：

第三子组的存储器堆叠，其具有小于或等于第三阈值电距离的第三电距离，所述第三子组的存储器堆叠中的每一存储器堆叠包括具有第三组合电阻的第三多个材料层。

6.根据权利要求1所述的设备，其中：

所述第一子组的存储器堆叠中的第一存储器堆叠包括：

第一字线层，其与所述第一驱动器组件耦合，

电阻层，其与所述第一字线层接触，和

第一电极层，其与所述电阻层接触；且

所述第二子组的存储器堆叠中的第二存储器堆叠包括：

第二字线层，其与所述第一驱动器组件耦合，和

第二电极层，其与所述第二字线层接触。

7.根据权利要求1所述的设备，其中：

所述第一子组的存储器堆叠中的第一存储器堆叠包括：

第一位线层，其与所述第二驱动器组件耦合，

第一电阻层，其与所述第一位线层接触，

第一电极层，其与所述第一电阻层接触，和

第二电极层，其与所述第一电极层接触，所述第二电极层的导电性低于所述第一电极层的导电性；且

所述第二子组的存储器堆叠中的第二存储器堆叠包括：

第二位线层，其与所述第二驱动器组件耦合，

第二电阻层，其与所述第二位线层接触，和

第三电极层，其与所述第二电阻层接触，其中所述第三电极层的高度与所述第一电极层和所述第二电极层的组合高度相等。

8.根据权利要求1所述的设备，其中：

所述第一子组的存储器堆叠中的第一存储器堆叠包括：

第一字线层，其与所述第一驱动器组件耦合，和

第一电阻层，其与所述第一字线层接触并且具有第一厚度；且

所述第二子组的存储器堆叠中的第二存储器堆叠包括：

第二字线层，其与所述第一驱动器组件耦合，和

第二电阻层，其与所述第二字线层接触并且具有小于所述第一厚度的第二厚度。